[发明专利]优化CMOS图像传感器版图的方法有效
| 申请号： | 200910053496.8 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101930480A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 罗飞;邹立 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 优化 cmos 图像传感器 版图 方法 | ||
1.一种优化CMOS图像传感器版图的方法，其特征在于，包括：
提供版图，所述版图包括CMOS图像传感器光电二极管有源区和晶体管的栅电极区；所述光电二极管有源区和晶体管的栅电极区具有原始尺寸；
根据版图，制备晶体管的栅电极，所述制备晶体管的栅电极的工艺包括刻蚀步骤，所述刻蚀步骤采用保护栅电极拐角的刻蚀方法；
测试所述栅电极尺寸；
根据测试结果，对版图上的光电二极管有源区和晶体管栅电极区的尺寸进行优化，所述优化的光电二极管有源区面积大于优化前的版图上的光电二极管有源区面积。
2.如权利要求1所述的优化CMOS图像传感器版图的方法，其特征在于，所述对版图上的光电二极管有源区和晶体管栅电极区进行优化步骤为根据晶体管的栅电极尺寸，缩减版图上晶体管的栅电极区尺寸，并相应增加光电二极管有源区宽度。
3.如权利要求1所述的优化CMOS图像传感器版图的方法，其特征在于，所述原始尺寸为根据采用CF4作为刻蚀剂确定。
4.如权利要求1所述的优化CMOS图像传感器版图的方法，其特征在于，所述保护栅电极拐角的刻蚀方法包括：采用含F离子比CF4低的刻蚀剂进行刻蚀。
5.如权利要求4所述的优化CMOS图像传感器版图的方法，其特征在于，所述保护栅电极拐角的刻蚀方法包括：采用保护气体减缓刻蚀速率。
6.如权利要求5所述的优化CMOS图像传感器版图的方法，其特征在于，所述保护栅电极拐角的刻蚀方法的刻蚀剂选自CHF3、C2F6、CH2F2、CH3F、C3F8、C4F8、C4F6、C5F8中的一种或者几种，保护气体选自N2、NO、CO、N2O、SO2中的一种或者几种。
7.如权利要求5所述的优化CMOS图像传感器版图的方法，其特征在于，所述刻蚀剂为CHF3和C2F6，保护气体为N2，所述保护栅电极拐角的刻蚀方法的工艺参数包括：压强为5毫托至10毫托，CHF3流量为每分钟10标准立方厘米至每分钟20标准立方厘米，C2F6流量为每分钟50标准立方厘米至每分钟100标准立方厘米，N2流量每分钟20标准立方厘米至每分钟40标准立方厘米。
8.如权利要求1所述的优化CMOS图像传感器版图的方法，其特征在于，所述晶体管为三个或者四个。
9.如权利要求1所述的优化CMOS图像传感器版图的方法，其特征在于，所述栅电极为矩形或者正方形。
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