[发明专利]电子装置有效
申请号: | 200910053016.8 | 申请日: | 2009-06-12 |
公开(公告)号: | CN101673327A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 许丹 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G06F21/00 | 分类号: | G06F21/00;G11C16/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 郑 玮 |
地址: | 201203上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,包括电压源以及至少一存储单元,所述电子装置的存储单 元通过导线与外部的信号输入设备连接,其特征在于:所述电子装置内的 导线上连接有一闪存晶体管组,所述闪存晶体管组包括以并联方式组合而 成的第一、二闪存晶体管,其中,
所述闪存晶体管组的漏极连接导线,源极接地;
所述电压源分别与所述第闪存晶体管组的栅极连接,当所述存储单元处于 写入状态时,为所述闪存晶体管组提供编程电压;当所述存储单元写入完毕后, 为所述闪存晶体管组提供擦除电压。
2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于:所述闪存晶体管组还包括一 电阻调节单元,所述电阻调节单元至少由第三、四、五闪存晶体管组成,第四 闪存晶体管与第五闪存晶体管并联,再与第三闪存晶体管串联,然后再与第一 闪存晶体管和第二闪存晶体管并联,其中,
第四闪存晶体管的漏极和第五闪存晶体管的漏极共接于第三闪存晶体管的 源极,第四闪存晶体管的源极和第五闪存晶体管的源极共接地;
第三闪存晶体管的漏极与导线连接;
第三、四、五闪存晶体管的栅极共接于电压源的正极上。
3.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于:当所述存储单元处于写入 状态时,所述电压源提供的编程电压小于所述闪存晶体管组的阈值电压。
4.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于:当所述存储单元完成写入 后,所述电压源提供的擦除电压大于或者等于所述闪存晶体管组的阈值电压, 使所述使闪存晶体管组的漏极与源极导通。
5.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于:所述闪存晶体管选自分栅闪 存晶体管、叠栅闪存晶体管、非易失性只读存储器、相变存储器、MirrorBit闪 存之一或者其中的任意组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司,未经上海宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910053016.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。