[发明专利]CMOS传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种CMOS传感器的制造方法，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成第一金属层；

在所述基底和所述第一金属层表面形成覆盖所述基底和所述第一金属层的第一金属层间介质层；

在所述第一金属层间介质层内形成与所述第一金属层对应的第一导电插塞；

其特征在于，还包括：

在所述第一金属层间介质层表面形成第二金属层和电容器第一电极；

在所述第一金属层间介质层、所述第二金属层和所述电容器第一电极表面形成覆盖所述第一金属层间介质层、所述第二金属层和所述电容器第一电极的第二金属层间介质层；

在所述第二金属层间介质层内形成暴露所述电容器第一电极的沟槽；

在所述沟槽的侧壁和底部形成介质层；

在所述第二金属层间介质层内形成暴露所述第二金属层的通孔；

用金属填充所述沟槽和通孔；

在沟槽上形成与所述电容器第一电极对应的第二电极，在通孔上形成与所述第二金属层对应的第三金属层。

2.如权利要求1所述CMOS传感器的制造方法，其特征在于，所述第二金属层和所述第一电极位于同一层，采用相同的工艺同时完成。

3.如权利要求1所述CMOS传感器的制造方法，其特征在于，所述沟槽为一个或者多个。

4.如权利要求1所述CMOS传感器的制造方法，其特征在于，所述形成的介质层为U型结构，介质层材料选自高K值的绝缘材料，所述介质层厚度为50纳米至2微米。

5.如权利要求4所述CMOS传感器的制造方法，其特征在于，所述高K值的绝缘材料选自SiN、SiO₂、SiON、Ta₂O₅或Al₂O₃材料。

6.如权利要求1所述CMOS传感器的制造方法，其特征在于，所述第三金属层和所述第二电极位于同一层，采用相同的工艺同时完成。

7.一种CMOS传感器，包括：

基底；

位于基底上的第一金属层；

位于基底上并覆盖第一金属层的第一金属层间介质层；

其特征在于，还包括：

位于第一金属层间介质层上的电容器第一电极和第二金属层；

连接第一金属层和第二金属层的第一导电插塞；

位于第一金属层间介质层上的并覆盖电容器第一电极和第二金属层的第二金属层间介质层；

位于电容器第一电极上的U型介质层；

位于U型介质层内的导电电极；

位于导电电极和第二金属层间介质层上的电容器第二电极；

位于第二金属层间介质层上的第三金属层；

连接第二金属层和第三金属层的第二导电插塞。

8.如权利要求7所述的CMOS传感器，其特征在于，所述电容器第一电极和第二金属层位于同一层。

9.如权利要求7所述的CMOS传感器，其特征在于，所述U型介质层材料选自高K值的绝缘材料，所述介质层厚度为50纳米至2微米。

10.如权利要求9所述的CMOS传感器，其特征在于，所述高K值的绝缘材料选自SiN、SiO₂、SiON、Ta₂O₅或Al₂O₃材料。

11.如权利要求7所述的CMOS传感器，其特征在于，所述电容器第二电极和第三金属层位于同一层。