[发明专利]一种双重曝光方法

权利要求书

1.一种双重曝光工艺，包括：第一次光刻步骤与第二次光刻步骤，其特征在于，在所述第一次与第二次光刻步骤之间，在所述第一次光刻步骤形成的光刻胶图形上旋涂化学收缩辅助解析增强材料，并使其与所述光刻胶图形接触处发生热交联反应；之后去除没有与所述光刻胶图形发生热交联反应的化学收缩辅助解析增强材料。

2.根据权利要求1所述的双重曝光方法，其特征在于，通过对所述化学收缩辅助解析增强材料进行烘烤，使其与所述光刻胶图形接触处发生热交联反应。

3.根据权利要求2所述的双重曝光方法，其特征在于，在对所述化学收缩辅助解析增强材料进行烘烤时，烘烤温度范围为90～110℃，烘烤时间范围为20～30秒。

4.根据权利要求1所述的双重曝光方法，其特征在于，利用去离子水清洗去除没有与所述光刻胶图形发生热交联反应的化学收缩辅助解析增强材料。

5.根据权利要求4所述的双重曝光方法，其特征在于，利用去离子水清洗次数为2次，每次清洗时间为60秒。

6.根据权利要求1所述的双重曝光方法，其特征在于，所述化学收缩辅助解析增强材料是一种能溶解于去离子水的有机聚合体。

7.一种双重曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一生长有底部膜层的硅片；

在所述硅片上涂布第一光刻胶，进行所述第一次光刻工艺，形成第一光刻胶图形；

在所述第一光刻胶图形上旋涂化学收缩辅助解析增强材料，并使其与所述第一光刻胶图形接触处发生热交联反应；

去除没有与所述第一光刻胶图形发生热交联反应的化学收缩辅助解析增强材料；

在所述硅片上旋涂第二光刻胶，进行所述第二次光刻工艺，形成第二光刻胶图形；

以所述第一及第二光刻胶图形为掩膜，通过刻蚀将所述光刻胶图形传递至所述硅片上。

8.根据权利要求7所述的双重曝光方法，其特征在于，通过对所述化学收缩辅助解析增强材料进行烘烤，使其与所述第一光刻胶图形接触处发生热交联反应。

9.根据权利要求8所述的双重曝光方法，其特征在于，在对所述化学收缩辅助解析增强材料进行烘烤时，烘烤温度范围为90～110℃，烘烤时间范围为20～30秒。

10.根据权利要求7所述的双重曝光方法，其特征在于，利用去离子水清洗所述硅片，以去除没有与所述第一光刻胶图形发生热交联反应的化学收缩辅助解析增强材料。

11.根据权利要求10所述的双重曝光方法，其特征在于，利用去离子水对所述硅片进行清洗，清洗次数为2次，每次清洗时间为60秒。

12.根据权利要求11所述的双重曝光方法，其特征在于，利用去离子水清洗所述硅片后，将所述硅片旋转去水并低温烘干。

13.根据权利要求7所述的双重曝光方法，其特征在于，还包括对所述硅片进行剥胶清洗步骤。

14.根据权利要求7所述的双重曝光方法，其特征在于，所述第一光刻胶图形线宽小于所述第二光刻胶图形线宽。

15.根据权利要求7所述的双重曝光方法，其特征在于，所述第一及第二光刻胶为KrF光刻胶。

16.根据权利要求7所述的双重曝光方法，其特征在于，所述第二次光刻工艺在所述第一光刻胶图形间隙间进行。

17.根据权利要求7所述的双重曝光方法，其特征在于，所述化学收缩辅助解析增强材料是一种能溶解于去离子水的有机聚合体。