[发明专利]一种防止新鲜高温氧化表面光致抗蚀剂翘曲的方法有效
| 申请号: | 200910052796.4 | 申请日: | 2009-06-09 |
| 公开(公告)号: | CN101635258A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
| 发明(设计)人: | 李黎明;郭国超;王健鹏 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 郑 玮 |
| 地址: | 201203上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 防止 新鲜 高温 氧化 表面光 致抗蚀剂翘曲 方法 | ||
1.一种防止新鲜高温氧化表面光致抗蚀剂翘曲的方法,其包括如下步骤:
提供待加工晶圆;
加热晶圆使晶圆表面形成高温氧化表面;
使用甲基二硅胺对晶圆表面进行蒸镀;
涂布光致抗蚀剂;
其特征在于:在加热晶圆形成高温氧化表面后,在使用甲基二硅胺对晶圆 表面进行蒸镀之前,还包括:将晶圆在水中进行浸泡并且烘干晶圆。
2.根据权利要求1中所述的防止新鲜高温氧化表面光致抗蚀剂翘曲的方法, 其特征在于所述将晶圆在水中进行浸泡,以使高温氧化表面变为亲水性状 态,时长为60秒。
3.根据权利要求1或2中所述的防止新鲜高温氧化表面光致抗蚀剂翘曲的 方法,其特征在于所述加热晶圆使晶圆表面形成高温氧化表面的步骤中将 晶圆放置于炉管中,充入反应气体,反应温度为800度。
4.根据权利要求3中所述的防止新鲜高温氧化表面光致抗蚀剂翘曲的方法, 其特征在于所述反应气体为SiH2Cl2和N2O。
5.根据权利要求1或2中所述的防止新鲜高温氧化表面光致抗蚀剂翘曲的 方法,其特征在于使用甲基二硅胺对晶圆表面进行蒸镀的步骤中反应腔温 度保持在110度,蒸镀时间约为36秒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





