[发明专利]一种多阈值场MOSFET和多阈值场MOSFET组

权利要求书

1.一种多阈值场MOSFET，包括栅电极、栅介质层、沟道区域、源极、漏极以及半导体衬底，所述栅介质层为浅沟槽隔离介质层，其特征在于，所述栅电极构图形成于栅介质层之上，所述栅介质层包括被栅电极覆盖的第一部分栅介质层和未被栅电极覆盖的第二部分栅介质层，通过栅电极的构图修改第二部分栅介质层与第一部分栅介质层的面积比，以调整所述多阈值场MOSFET的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的多阈值场MOSFET，其特征在于，所述栅介质层为SiO₂或Si₃N₄。

3.根据权利要求1所述的多阈值场MOSFET，其特征在于，所述栅介质层的厚度范围为0.2到2微米。

4.根据权利要求1所述的多阈值场MOSFET，其特征在于，通过所述栅电极通过构图形成若干条间隙，间隙之下的栅介质层为第二部分栅介质层。

5.根据权利要求4所述的多阈值场MOSFET，其特征在于，所述间隙平行于多阈值场MOSFET的沟道的长的方向。

6.根据权利要求4所述的多阈值场MOSFET，其特征在于，所述间隙平行于多阈值场MOSFET的沟道的宽的方向。

7.根据权利要求4所述的多阈值场MOSFET，其特征在于，所述间隙与多阈值场MOSFET的沟道的长的方向成一定角度θ，0°＜θ＜90°。

8.根据权利要求4所述的多阈值场MOSFET，其特征在于，所述间隙的间距与栅介质层的厚度的比值范围为0.01至3。

9.根据权利要求4所述的多阈值场MOSFET，其特征在于，所述间隙相互平行，每个间隙的间距相等。

10.根据权利要求1所述的多阈值场MOSFET，其特征在于，所述栅电极作为一个整体连续分布于栅介质层的正上方，栅电极的面积小于栅介质层的面积。

11.根据权利要求1所述的多阈值场MOSFET，其特征在于，所述栅电极为多晶硅栅电极或金属栅电极。

12.一种由多个权利要求1所述的多阈值场MOSFET组成的多阈值场MOSFET组，所述多阈值场MOSFET的栅介质层为浅沟槽隔离介质层；其特征在于，每个多阈值场MOSFET的栅电极构图形成于多阈值场MOSFET的栅介质层之上，所述栅介质层包括被栅电极覆盖的第一部分栅介质层和未被栅电极覆盖的第二部分栅介质层；每个多阈值场MOSFET之间，除栅电极的构图相差异外，其它结构参数均相同；通过每个多阈值场MOSFET的栅电极的构图，修改每个多阈值场MOSFET的第二部分栅介质层与第一部分栅介质层的面积比，以调整多阈值场MOSFET组中每个多阈值场MOSFET的阈值电压。

13.根据权利要求12所述的多阈值场MOSFET组，其特征在于，每个多阈值场MOSFET的栅电极均通过在同一掩膜版上实现其栅电极的构图差异、并通过同一刻蚀步骤刻蚀形成。

14.根据权利要求12所述的多阈值场MOSFET组，其特征在于，所述栅介质层的厚度范围为0.2到2微米。

15.根据权利要求12所述的多阈值场MOSFET组，其特征在于，通过所述栅电极通过构图形成若干条间隙，间隙之下的栅介质层为第二部分栅介质层。

16.根据权利要求15所述的多阈值场MOSFET组，其特征在于，所述间隙相互平行，每个间隙的间距相等。

17.根据权利要求15所述的多阈值场MOSFET组，其特征在于，所述间隙的间距与栅介质层的厚度的比值范围为0.01至3。