[发明专利]具防止静电破坏的光罩

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，且特别涉及一种具防止静电破坏的光罩。

背景技术

半导体加工过程中，微影加工过程是一关键性步骤，特别是在组件尺寸日趋微细化的集成电路时代，使微影加工过程面临极大的挑战。光罩，是在微影加工过程中用以将所需要的图案，定义在半导体芯片的光致抗蚀层上，然后半导体芯片才进一步利用光致抗蚀层的图案作为基础，进行后续的蚀刻或离子布值处理。因此，光罩若出现了问题，对后续的曝光、显影、蚀刻等加工过程的改善也都无法获得所要的图案而无法达到所要求的电路设计。

随着半导体加工过程中图案的缩小，光罩上由金属铬所构成的图案的线宽线距也越来越小，致使静电电荷(electric static charge，ESC)容易导致光罩上的金属线因电场而产生静电电荷放电(ESD)。在此情况之下，静电荷通常会由光罩上相邻两图案的尖角之间，尤其是较大型的图案尖角间，以点对点尖端放电的方式来达到释放静电的效果。请参考图1，图1所示为现有技术的光罩上的金属线结构示意图，相邻两金属线10和20之间具有窄间隔30，在间隔30处会产生静电电荷放电。然而，在电放电瞬间将产生一足够大的热能而破坏电路图案，而使加工合格率下降。严重的话，甚至将造成光罩的损毁。上述的尖端放电现象在光罩加工演进至更窄的线宽(line width)时，其情形将更加严重。

为了解决静电所导致的光罩图案破坏，在工业上已有许多方法。一种是从环境上着手，例如，在操作员的手套上加装接地装置以防止手接触光罩时产生静电，或在光罩的放置位置以及移动的路线上喷洒离子以中和产生的静电。但是往往需要大量的设备以及成本。另一种则是由光罩盒的材料着手。但是，一来是换材料的成本浩大，二来是步进机等用以处理光罩盒的机台的接口都可能要加以变更，也是成本的问题。

发明内容

本发明提出一种具防止静电破坏的光罩，其能够有效防止静电电荷累积，避免产生静电电荷放电，从而保护光罩。

为了达到上述目的，本发明提出一种具防止静电破坏的光罩，包括多个彼此间隔的金属线，其中，所述每个金属线分别具有多个间隔。

进一步的，所述多个间隔的宽度小于曝光分辨率。

进一步的，所述金属线为铬金属层。

进一步的，所述铬金属层下具有基底层。

进一步的，所述基底层的材料为二氧化硅玻璃。

本发明提出的具防止静电破坏的光罩，在每个金属线上形成多个宽度小于曝光分辨率的间隔，因此能够有效防止静电电荷累积，避免产生静电电荷放电，从而保护光罩，同时由于其宽度小于曝光分辨率，因此不会再后续的微影加工过程中将金属线上的间隔定义到光致抗蚀层上。

附图说明

图1所示为现有技术的光罩上的金属线结构示意图。

图2所示为本发明较佳实施例的具防止静电破坏的光罩上的金属线结构示意图。

具体实施方式

为了更了解本发明的技术内容，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。

本发明提出一种具防止静电破坏的光罩，其能够有效防止静电电荷累积，避免产生静电电荷放电，从而保护光罩。

请参考图2，图2所示为本发明较佳实施例的具防止静电破坏的光罩上的金属线结构示意图。本发明提出的具防止静电破坏的光罩，包括多个彼此间隔的金属线，其中，所述每个金属线分别具有多个间隔。图2中举例相邻两个金属线100和200，两者之间具有窄间隔300，金属线100和200分别具有多个间隔110和210。所述多个间隔110和210的宽度小于曝光分辨率，所述金属线100和200为铬金属层，所述铬金属层下具有基底层，所述基底层的材料为二氧化硅玻璃。

综上所述，本发明提出的具防止静电破坏的光罩，在每个金属线上形成多个宽度小于曝光分辨率的间隔，由于具有多个间隔，因此电荷能够分散开并且通过间隔放电，能够有效防止静电电荷累积，避免产生静电电荷放电，从而保护光罩，同时由于其宽度小于曝光分辨率，因此不会再后续的微影加工过程中将金属线上的间隔定义到光致抗蚀层上。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。