[发明专利]静电保护装置、静电保护系统和可视性检验测试方法有效

专利信息
申请号: 200910052211.9 申请日: 2009-05-25
公开(公告)号: CN101902038A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: 马骏;罗熙曦;蒋顺;荆常营 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02;G01R31/00;G02F1/13
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
地址: 201201 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 静电 保护装置 保护 系统 可视性 检验 测试 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及静电保护装置、应用静电保护装置的静电保护系统和可视性检验测试方法。

背景技术

在液晶显示面板的生产制程中,由于某些外在因素,例如连续的制程操作以及搬运或者环境变化等,通常会在面板中产生静电荷的积累。由于玻璃本身是绝缘物质,因此除非有适当的放电通道,否则静电荷会一直停留在基板表面。当静电荷积累到一定数量之后,将会产生放电(ESD,ElectrostaticDischarge)。静电放电发生时的时间很短,大量的电荷在很短的时间内发生转移将产生极高的电流,从而将导致薄膜场效应管(TFT)基板上的电路或者基板本身遭到破坏。为了避免出现静电放电现象,通常通过设置静电保护装置释放静电电荷,保护液晶显示面板。

参考图1,在图示的短路保护系统中,导线02用于将显示区域10内的各像素单元与用于控制显示的集成电路芯片相连接并向所述各像素单元传输信号;其中,所述信号可为奇偶行的行扫描信号,也可以是单列红(R)/绿(G)/蓝(B)三原色像素的数据信号或其并列。短路环15为显示区域10外围的金属环,各条导线02穿过短路环15时,分别通过静电保护装置06与短路环15相连,使得各导线02之间具有相等的电势。另一方面,静电保护装置06还被设置于测试总线03以及公共电极12之间,以避免显示器外壳上积聚静电荷。

此外,在液晶显示面板的生产制程中,另一项重要的检测环节为可视性检验,该检测环节用于在已在基板间注入液晶分子而尚未加入集成电路芯片的情况下,检测所有像素单元是否良好以及相关线路是否能够正常工作。具体来说,在可视性检验中,先将各像素单元所引出的导线连接至总线,然后施加电压,通过检测各像素单元是否点亮进而判断各像素单元及其连线的工作能力。此外,当检测完毕后,需要通过激光烧断步骤将布线区中的连线烧断,使各像素单元相互独立,以避免相互干扰。

参考图2,导线02通过引脚01与测试总线03相连接。在可视性检验测试过程中,将延伸出来的导线02通过规则布线区域04与测试总线03连接起来,以及将测试总线03与测试板05相连接。通过向测试板05施加测试电压,检验显示区域内所有行扫描线和列信号线是否可以正常工作。当可视性检验测试完成后,通过激光将规则布线区域04内的导线02烧断,使各个像素单元彼此独立,不再通过导线02互联。

由此可发现,在现有的液晶显示屏中,一方面,用于静电保护的ESD模块06广泛存在于显示区域与显示器外壳之间,纵横摆放,占用面积较多,浪费了屏宽,且降低了生产集成度;另一方面,在可视性检验过程中,先将导线延伸后互联,以及在测试之后采用激光烧断步骤将互联的导线断开,增加了工艺复杂度,造成产率下降。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种静电保护装置,除了提供静电保护之外,还可提供可视性检验中的连通和截断。

为解决上述问题,本发明提供了一种静电保护装置,包括:第一场效应管和第二场效应管,所述第一场效应管的栅极与其漏极、以及所述第二场效应管的源极相连接,作为所述静电保护装置的输入端;所述第二场效应管的栅极与其漏极、以及所述第一场效应管的源极相连接,作为所述静电保护装置的输出端。

可选的,所述第一场效应管和所述第二场效应管具有相同的开启电压。

可选的,所述第一场效应管与所述第二场效应管具有相同的半导体参数。

可选的,所述开启电压大于等于所述场效应管的阈值电压。

可选的,所述开启电压等于所述场效应管的阈值电压。

可选的,所述阈值电压为10V至30V中任一电压值。

可选的,所述阈值电压为15V。

可选的,所述第一场效应管或所述第二场效应管的宽长比为18∶6至6∶6。

可选的,所述第一场效应管或所述第二场效应管的宽长比为16∶6。

本发明还提供了一种静电保护装置,包括多个串联连接的场效应管对,其中,首个场效应管对的输入端作为所述静电保护装置的输入端,每个场效应管对的输入端与其前一个场效应管对的输出端相连接,末个场效应管对的输出端作为所述静电保护装置的输出端;每个场效应管对包括第一场效应管和第二场效应管,所述第一场效应管的栅极与其漏极、以及所述第二场效应管的源极相连接,作为所述场效应管对的输入端,所述第二场效应管的栅极与其漏极、以及所述第一场效应管的源极相连接,作为所述场效应管对的输出端。

可选的,所述第一场效应管和所述第二场效应管具有相同的开启电压。

可选的,所述第一场效应管与所述第二场效应管具有相同的半导体参数。

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