[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910052190.0 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101567337A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 周雪梅;褚立文;刘宪周;杨潇楠;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/265;H01L31/18;H01L27/146;H01L31/103;H01L31/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在生长有外延层的半导体衬底上形成器件隔离层、栅极和扩散区；
利用掩模覆盖所述栅极和所述扩散区，暴露出相邻于所述栅极的光电二极管区；
通过第一次离子注入在所述光电二极管区中形成第一杂质离子区；
在所述光电二极管区进行第二次离子注入，在所述光电二极管区中靠近所述栅极的区域形成第二杂质离子区。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述第二次离子注入是沿垂直方向倾斜靠近所述栅极进行离子注入。
3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述倾斜的角度30°至45°。
4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述第二次离子注入的能量、剂量均低于所述第一次离子注入。
5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述第二杂质离子区比所述第一杂质离子区浅。
6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述隔离层为浅沟槽隔离结构。
7.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：
光电二极管，具有台阶状电势分布结构，用于产生光电子；
浮动扩散区，用于存储由所述光电二极管产生的电子；
传递晶体管，连接在所述光电二极管与所述浮动扩散区之间，用于将由所述光电二极管产生的电子传递到所述浮动扩散区；
重置晶体管，连接在电源电压端子和所述浮动扩散区之间，用于将存储在所述浮动扩散区中的电子放电以重置所述浮动扩散区；
驱动晶体管，用于响应来自所述光电二极管的输出信号来充当源跟随器缓冲放大器；
选择晶体管，连接到所述驱动晶体管，用于进行寻址操作。
8.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述台阶状电势分布结构为在所述光电二极管中叠加的第一及第二杂质离子区。
9.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第二杂质离子区比所述第一杂质离子区浅。
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