[发明专利]用于手机充电的过压充电保护装置及方法有效

专利信息
申请号: 200910052084.2 申请日: 2009-05-26
公开(公告)号: CN101567556A 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 孙鑫炎;易伟 申请(专利权)人: 上海华勤通讯技术有限公司
主分类号: H02H7/18 分类号: H02H7/18;H02J7/00
代理公司: 上海金盛协力知识产权代理有限公司 代理人: 罗大忱
地址: 201203上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 手机 充电 保护装置 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及充电保护装置,特别涉及一种用于手机充电的过压充电保护模块及其控制方 法。

背景技术

目前,中国已经强制执行的YD/T1591-2006标准,手机侧充电控制电路应具备过压保护 功能,即在手机充电接口输入6V以上的直流电压时,如果不能保证安全充电,应启动保护, 在非预期电压的情况下,不应出现过热、燃烧、爆炸以及其它电路损坏的现象,而且电压恢 复后,手机应能正常工作。如图1所示,过压保护(OVP)电路在检测到过压故障状况时,检测 电路就会将开关打开,使负载与电源断开,避免手机因过压导致损坏。

手机采用USB接口充电器、标准充电器或一般充电器中的一种进行充电。其中,USB接口 充电器是指插入USB线(USB接口包括VBUS,D+,D-,GND四个信号口),启动的USB充电 功能,其具有USB标准协议中OTG子协议定义的可被硬件识别的中断,当前为USB OTG中的 D+/D-中断。当前充电器都会有D+/D-两个引脚,如果这两个脚是内部短路,则定义为标准充 电器,但由于标准充电器的D+/D-是短接的,将产生D-上升沿中断;如果这两个脚不是内部 短路,则定义为一般充电器。

常用的方案都是通过修改硬件电路(如图1所示),采用增加过压保护电路来实现过压 保护功能以满足YD/T1591-2006标准,这种方法在直接增加手机整体成本的同时,额外增加 了硬件设计和PCB布局,软件实现,质量认证等一系列研发部门的人力物力投入,降低了手 机产品的竞争力。

中国专利公开号:CN2840462,揭示了一种过压充电保护电路,其包括第一二极管、第一 电阻以及一三极管。其中,第一二极管和第一电阻串接在电源端子与三极管之间,而三极管 的集电极与充电控制芯片的温度检测脚相连,其发射极则连接于充电控制芯片的工作电源地 输入脚及地,并且在三极管的集电极与发射极之间并联接有第二电阻和第三电阻。当外部所 输入电压超过第一二极管的稳压值,则第一二极管反向导通,电压通过第一电阻加到三极管 的基极,给予其一个高电位以使三极管导通,将温度检测脚电位拉低,同时从充电控制输出 脚输出一个高电位,将场效应管关断,从而切断充电回路。该装置是典型的通过修改硬件电 路来实现过压充电保护的装置,其不可避免的增加了硬件设计和PCB布局,加大了产品的成 本,降低了竞争力。

中国专利公开号:CN201113384,揭示了一种充电过压保护电路,包括充电电路和为所述 充电电路提供工作电压的供电电源,在供电电源与充电电路之间连接有一开关电路,开关电 路包含一个二极管,两个三极管和一个MOS管,二极管的负极连接供电电源,正极串联电阻 后接地,第一个三极管的基极连接所述二极管的正极,发射极接地,集电极一方面连接供电 电源,另一方面连接第二个三极管的基极,第二个三极管的发射极接地,集电极一方面连接 供电电源,另一方面连接所述MOS管的栅极,所述MOS管的源极和漏极串接在供电电源与充 电电路之间。同样的,该装置也是通过修改硬件电路来实现过压充电保护的装置,其不可避 免的增加了硬件设计和PCB布局,为设计人员增加了负担,也增加了产品本身的成本。

常用的手机通信平台中,如高通QSC60X0平台等,支持USB OTG功能(即可以在USB_VBUS 没有连接的情况下通过芯片内部产生USB_VBUS来实现USB功能)但USB_VBUS能够承受的最 大输入电压为7.5V,不能满足YD/T1591-2006标准的最高9V电压承受能力需求。而VCHG管脚 能够承受的最大输入电压为18V,能满足YD/T1591-2006标准的最高9V电压承受能力需求。

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