[发明专利]在半导体基底上形成氮化钛层的方法有效
| 申请号： | 200910051562.8 | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101556926A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 孔令芬;李春雷 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/28;H01L21/44;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 基底 形成 氮化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在半导体基底上形成氮化钛层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体基底；
对所述半导体基底进行预加热，所述预加热的温度为100℃至500℃，所述 预加热是在与氮化钛层反应腔相邻的另一反应腔内进行的；
将所述半导体基底移入氮化钛层反应腔，将所述氮化钛层反应腔抽真空， 向所述氮化钛层反应腔内通入氩气和氮气，通过溅射在所述半导体基底上形成 氮化钛层。
2.根据权利要求1所述的在半导体基底上形成氮化钛层的方法，其特征在 于，所述反应腔抽真空，其压强为2.0×10-4Pa至5.0×10-4Pa。
3.根据权利要求1所述的在半导体基底上形成氮化钛层的方法，其特征在 于，所述氩气的流量为15sccm至60sccm。
4.根据权利要求1所述的在半导体基底上形成氮化钛层的方法，其特征在 于，所述氮气的流量为50sccm至150sccm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
