[发明专利]制造GaN基光电器件的低损伤ICP刻蚀方法无效
| 申请号： | 200910050917.1 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101552197A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 袁根如;郝茂盛;张楠;李士涛;陈诚;朱广敏 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 gan 光电 器件 损伤 icp 刻蚀 方法 | ||
1.一种制造GaN基光电器件的低损伤ICP刻蚀方法，采用ICP刻蚀技术将p型GaN层刻蚀至n型GaN层，其特征在于，包括以下步骤：
第一步主刻蚀，采用Cl2和Ar的混合气体作刻蚀气体，工作气压为0.3-2Pa，ICP功率为120-180W，从p型GaN层刻蚀至n型GaN层上表面；
第二步辅刻蚀，采用BCl3气体作刻蚀气体，工作气压为0.3-2Pa，ICP功率为120-180W，从所述n型GaN层上表面刻蚀掉部分n型GaN。
2.根据权利要求1所述制造GaN基光电器件的低损伤ICP刻蚀方法，其特征在于：所述第一步主刻蚀的偏压功率为15-40W。
3.根据权利要求1所述制造GaN基光电器件的低损伤ICP刻蚀方法，其特征在于：所述第一步主刻蚀的刻蚀速率为0.1um/min-0.15um/min。
4.根据权利要求1所述制造GaN基光电器件的低损伤ICP刻蚀方法，其特征在于：所述第二步辅刻蚀的偏压功率为10-30W。
5.根据权利要求1所述制造GaN基光电器件的低损伤ICP刻蚀方法，其特征在于：所述第二步辅刻蚀的刻蚀速率为0.03um/min-0.05um/min。
6.根据权利要求1所述制造GaN基光电器件的低损伤ICP刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀掉的部分n型GaN的厚度为0.03um-0.1um。
7.根据权利要求1所述制造GaN基光电器件的低损伤ICP刻蚀方法，其特征在于：第一步主刻蚀中所述其两种气体的体积比为Cl2∶Ar＝3～8∶1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
