[发明专利]用于锂离子电池的硒化锂-三硒化二锑阴极材料及制备方法无效

专利信息
申请号: 200910050872.8 申请日: 2009-05-08
公开(公告)号: CN101882677A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 余乐;傅正文 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/58;H01M4/04;C23C14/28;C23C14/06
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 包兆宜
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 锂离子电池 硒化锂 三硒化二锑 阴极 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于锂离子电池的阴极材料,其特征在于所述的阴极材料为硒化锂-三硒化二锑,所述硒化锂-三硒化二锑为正交结构的纳米复合物材料。

2.根据权利要求1所述的用于锂离子电池的阴极材料,其特征在于硒化锂-三硒化二锑为薄膜形式,其厚度为0.2-1μm。

3.根据权利要求1或2所述的用于锂离子电池的阴极材料的制备方法,其特征在于采用反应性脉冲激光沉积法,其包括:

(1)将锑粉和硒粉混合后压片制成脉冲激光沉积用的靶;

(2)采用不锈钢片、铂片或镀金单晶硅片为基片;

(3)由激光器产生的1064nm基频经三倍频后获得脉冲激光,激光束经透镜聚焦后入射到上述靶上,在基片上沉积得到硒化锂-三硒化二锑纳米复合物薄膜。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于所述靶中锑粉与硒粉的重量比为1∶1~6。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于所述靶中锑粉与硒粉的重量比为1∶3~6。

6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于所述靶的表面50%~80%的面积覆盖高纯金属锂片。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于所述靶的表面60%~70%的面积覆盖高纯金属锂片。

8.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于基片温度为200-300℃。

9.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于基片和靶的距离为25-50mm。

10.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于所述的激光器为掺钕钇铝榴石激光器,脉冲激光波长为355nm。

11.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于脉冲激光沉积是在氩气气氛中进行。

12.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于在基片上沉积时间为0.2-1.0小时。

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