[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法无效
申请号: | 200910049930.5 | 申请日: | 2009-04-24 |
公开(公告)号: | CN101872813A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 刘胜;甘志银;汪沛;周圣军 | 申请(专利权)人: | 刘胜 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 李平 |
地址: | 430074 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管芯片,包括:高热导率的衬底、键合材料层、反射层、透明导电层和发光二极管外延层,其特征在于高热导率材料作为垂直结构发光二极管芯片的支撑衬底,支撑衬底上面为键合材料层,键合材料层上面是反射层,反射层上面为透明导电层,透明导电层上为发光二极管外延层,发光二极管外延层上面是n面电极。
2.权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法,包括以下工艺步骤:
(1)将蓝宝石衬底发光二极管外延片在标准溶液中清洗;
(2)在蓝宝石衬底LED外延片上蒸镀透明导电层;
(3)在透明导电层上蒸镀反射层;
(4)在反射层上涂敷键合材料层;
(5)通过键合材料层将蓝宝石衬底发光二极管芯片外延片键合到高热导率的衬底上;
(6)剥离蓝宝石衬底;
(7)采用电感耦合等离子体或反应离子刻蚀n-GaN、有源层和p-GaN;
(8)采用KOH溶液将未掺杂的GaN层刻蚀掉,并对n-GaN表面进行粗化;
(9)蒸镀n面电极到经过表面粗化后的n-GaN层,形成欧姆接触电极。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于所述工艺步骤(6)剥离蓝宝石衬底首先采用机械研磨将400um的蓝宝石衬底减薄至60~80um,接着通过化学机械抛光将蓝宝石衬底减薄至5~10um,然后采用湿法腐蚀去除剩余的蓝宝石衬底。
4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于所述湿法腐蚀选用的溶液为硫酸和磷酸的混合溶液,硫酸和磷酸的质量比为2∶1,湿法腐蚀的温度为270℃。
5.根据权利要求2所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于所述键合材料层为导电聚合物。
6.根据权利要求2所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于所述反射层为Al或Ag或Pt。
7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于所述反射层的厚度为100nm。
8.根据权利要求2所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于所述透明导电层为ITO或ATO或ZnO,厚度为390nm。
9.根据权利要求2所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于所述欧姆接触电极的材料结构逐层为Ti/Al/Ti/Au或Cr//Pt/Au或Ti/Al/Pt/Au,多层结构的总厚度为200-2000nm。
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