[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 200910049795.4 | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101593775A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：
半导体衬底；
凹槽，形成在所述半导体衬底中；
栅极侧墙，分别形成在所述凹槽的侧壁上；
栅极介电层，形成在所述栅极侧墙之间的凹槽底面上；
栅极，形成在所述栅极侧墙和栅极介电层围成的收容空间内；
轻掺杂漏极区，分别形成在所述栅极侧墙下方的半导体衬底内；
源极区和漏极区，分别形成在所述栅极侧墙两侧的半导体衬底表面下方，并与两侧的轻掺杂漏极区相连。
2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述源极区、漏极区还形成有金属硅化物。
3.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述栅极为N型或P型多晶硅栅极或者金属栅极。
4.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述栅极介电层为硅的氧化物、硅的氮氧化物、HfO2或者其他高介电常数的介质层。
5.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述栅极侧墙为氧化物、氮化物、氧化物与氮化物的组合或者其他介质。
6.如权利要求2所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述的金属硅化物为钛或钴或镍的硅化物。
7.如权利要求6所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述钴的硅化物为CoSi2。
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