[发明专利]碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

第一步，采用自组装方法在微电极之间形成碳纳米管薄膜，具体步骤包括：

a、将清洗干净的带绝缘层硅片浸泡在H₂SO₄和H₂O₂混合溶液中；

所述H₂SO₄和H₂O₂混合溶液中，H₂SO₄和H₂O₂体积比范围为1-6∶1，浸泡时间为0小时到24小时，浸泡温度为0-100度；

b、将冲洗干净的带绝缘层硅片浸泡在过硫酸胺溶液中；

c、将烘干后的带绝缘层硅片在碳纳米管悬浮液中浸泡，使碳纳米管在硅片上自组装形成碳纳米管薄膜；

d、采用光刻技术在碳纳米管薄膜上制作出源漏电极图案；

第二步，去除金属性碳纳米管，得到具有良好性能的碳纳米管薄膜场效应晶体管；

所述去除金属性碳纳米管采用以下两种方案中一种：

方案一：在室温到600℃范围，0.01Pa到100000Pa压强下，采用等离子体刻蚀，去除金属性碳纳米管；

方案二：先施加栅压使半导体性碳纳米管截止，然后接源漏电压，使源漏电流从金属性的碳纳米管上通过，将金属性的碳纳米管烧断，留下半导体性的碳纳米管。

2.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征是，所述将冲洗干净的硅片浸泡在过硫酸胺溶液中，其时间为0-24h，过硫酸胺溶液中H₂O和过硫酸胺的体积比范围为5-10000∶1。

3.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征是，所述将烘干后的硅片在碳纳米管悬浮液中浸泡，是指将烘干后的硅片在浓度为0.1-10mg/ml的碳纳米管悬浮液中浸泡0-72h。

4.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征是，所述的等离子体发生气体是甲烷与氩气的混合气体，或者氢气，等离子体功率为10-500W范围，处理时间10s-60min，反应腔室压强为30-200Pa，反应温度为0-700℃。