[发明专利]通孔形成方法无效
| 申请号： | 200910049284.2 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101866877A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 赵林林;沈满华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种通孔形成方法，包括以下步骤：
提供一硅衬底；
依次在所述硅衬底上形成介质层和抗反射层；
依次刻蚀抗反射层和介质层，在抗反射层和介质层内形成通孔；
溅射清洗所述通孔。
2.根据权利要求1所述的通孔形成的方法，其特征在于，所述溅射清洗步骤，具体包括加一高压电源，将反应腔抽真空，通入氩气与氧气混合气体，进行溅射。
3.根据权利要求2所述的通孔形成的方法，其特征在于，所述高压电源功率为100至500W。
4.根据权利要求2所述的通孔形成的方法，其特征在于，所述反应腔抽真空的气压在10至50毫托。
5.根据权利要求2所述的通孔形成的方法，其特征在于，所述氩气流量为50至500标况毫升每分。
6.根据权利要求2所述的通孔形成的方法，其特征在于，所述氧气流量为5至100标况毫升每分。
7.根据权利要求2所述的通孔形成的方法，其特征在于，溅射的时间为8至10秒钟。
8.根据权利要求1所述的通孔形成的方法，其特征在于，其中所述介质层为氧化硅层。
9.根据权利要求1所述的通孔形成的方法，其特征在于，在所述刻蚀介质层步骤中，所用的刻蚀气体为CF4、CH2F2、CHF3或C4F8。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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