[发明专利]半导体硅片的清洗设备及清洗方法

权利要求书

1.一种半导体硅片的清洗设备，其特征在于，所述清洗设备为单片式清洗设备，包括： 

多个串联的工艺腔，分别进行不同的清洗步骤，并分别配备有所述不同清洗步骤所需的清洗剂供给管路以及惰性气体供给管路； 

可升降隔板，设置于所述多个工艺腔之间； 

可旋转平台，设置于所述多个工艺腔内，用以承载硅片； 

机械臂，设置于所述多个工艺腔内，用以在所述多个工艺腔之间传送所述硅片；以及 

清洗悬臂，设置于所述多个工艺腔内，其上设置有喷嘴，所述喷嘴连接至所述清洗剂供给管路以及所述惰性气体供给管路。 

2.如权利要求1所述的半导体硅片的清洗设备，其特征在于，还包括主机械臂，设置在所述工艺腔的周边，用以送取所述硅片。 

3.如权利要求1所述的半导体硅片的清洗设备，其特征在于，所述工艺腔的数量为三个。 

4.如权利要求1所述的半导体硅片的清洗设备，其特征在于，所述可升降隔板的厚度为1/4～1英寸，当所述隔板升起时，所述多个工艺腔相互独立，当所述隔板下降时，所述机械臂在所述多个工艺腔之间传送所述硅片。 

5.如权利要求4所述的半导体硅片的清洗设备，其特征在于，所述可升降隔板的数量为两个。 

6.如权利要求1所述的半导体硅片的清洗设备，其特征在于，还包括超声波发生装置，设置于所述多个工艺腔中的一个工艺腔内。 

7.如权利要求6所述的半导体硅片的清洗设备，其特征在于，所述超声波发生装置所使用的频率为250千赫兹至2兆赫兹。 

8.如权利要求6所述的半导体硅片的清洗设备，其特征在于，所述超声波发生装置在所述硅片表面产生的功率为0.5～5瓦特/平方厘米。 

9.如权利要求1所述的半导体硅片的清洗设备，其特征在于，所述可旋转平台的直径为6～15英寸。 

10.如权利要求9所述的半导体硅片的清洗设备，其特征在于，所述可旋转平台的最高转速为500～3000转/分钟。 

11.如权利要求1所述的半导体硅片的清洗设备，所述清洗悬臂的旋转角度为0～90度。 

12.如权利要求1所述的半导体硅片的清洗设备，其特征在于，所述喷嘴喷洒清洗剂的方式为高压喷射或无压自然重力下流方式。 

13.如权利要求1所述的半导体硅片的清洗设备，其特征在于，所述惰性气体供给管路为氮气供给管路。 

14.一种使用权利要求1所述设备的清洗方法，其特征在于，包括： 

主机械臂将第一硅片传送至第一工艺腔进行第一清洗步骤； 

所述第一清洗步骤完成后，所述第一工艺腔内的机械臂将所述第一硅片传送至第二工艺腔进行第二清洗步骤；同时所述主机械臂将第二硅片传送至所述第一工艺腔进行所述第一清洗步骤； 

所述第二清洗步骤完成后，所述第二工艺腔内的机械臂将所述第一硅片传送至第三工艺腔进行第三清洗步骤；同时，所述第一工艺腔内的机械臂将所述第二硅片传送至所述第二工艺腔进行所述第二清洗步骤；同时所述主机械臂将第三硅片传送至所述第一工艺腔进行所述第一清洗步骤； 

所述第三清洗步骤完成后，所述主机械臂将所述第一硅片从所述第三工艺腔中取出。 

15.如权利要求14所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗步骤具体包括： 

第一平台旋转，并带动其承载的硅片高速旋转； 

第一喷嘴喷注第一清洗剂于所述硅片表面，清洗所述硅片表面；以及 

所述第一喷嘴喷射惰性气体于所述硅片表面。 

16.如权利要求15所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗步骤还包括： 

启动超声波发生装置，清洗所述硅片表面。