[发明专利]一种固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 200910048846.1 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101851099A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 陈健;黄政仁;刘学建 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/622 | 分类号： | C04B35/622;C04B35/565 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
(1)选用SiC粉体，占SiC粉体质量0.05-5wt％的B4C，占SiC粉体质量0.5-10wt％的石墨为烧结助剂，占SiC粉体质量0.01-20wt％的聚乙二醇；
(2)将原料粉体配成35-60wt％的浆料，用SiC球作为研磨球混合，全部原料∶SiC球＝1∶0.5～5，然后将所得浆料烘干，粉碎后过筛；
(3)得到的粉体以20-100Mpa干压成型；在Ar气气氛下烧结。
2.按权利要求1所述的一种固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，聚乙二醇的分子量为2000-8000。
3.按权利要求1或2所述的一种固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所选溶剂为乙醇或水。
4.按权利要求3或所述的一种固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所选溶剂为水。
5.按权利要求1或2所述的一种固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，聚乙二醇的为水溶性水聚乙二醇。
6.按权利要求2所述的一种固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，SiC粉体的平均粒径为0.05-2μm。
7.按权利要求2所述的一种固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，烧结温度为1900-2300℃，保温时间为30-240min。
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