[发明专利]发光二极管芯片衬底结构的制造方法有效
| 申请号： | 200910048634.3 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101515626A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 袁根如;郝茂盛;颜建锋;李士涛;陈诚;董云飞 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 衬底 结构 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管芯片衬底结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)在衬底上表面上镀一层金属层；
(2)在所述金属层上形成一层光刻胶膜层；
(3)应用光刻工艺将光刻胶膜层图形化以形成所期望的图案；
(4)应用回流工艺熔化该光刻胶膜层，使该光刻胶膜层形成多个凸包形；
(5)应用刻蚀的方法将该光刻胶膜层的多个凸包形轮廓传递到该衬底上，在该衬底上表面上形成多个凸包形微结构。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制造方法，其特征在于：所述的步骤(1)中采用电子束蒸镀或溅射技术在衬底上表面镀金属层。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片衬底结构的制造方法，其特征在于：所述金属层厚度为0.1nm～100nm。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片衬底结构的制造方法，其特征在于：所述金属层选用材料为钛、镍、铝、铬其中之一。
5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制造方法，其特征在于：光刻胶膜层图形化形成的所期望的图案为周期性或非周期性排列的棱柱、圆柱、凌锥、圆锥、圆台或棱台。
6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制造方法，其特征在于：所述刻蚀方法为电感耦合等离子体蚀刻。
7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制造方法，其特征在于：所述衬底上表面的凸包形微结构的剖面轮廓线为弧线形。
8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制造方法，其特征在于：所述衬底的材料为蓝宝石。
9.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制造方法，其特征在于：所述光刻胶膜层的厚度为0.5um～4um。
10.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制造方法，其特征在于：所述回流工艺中烘烤温度为50℃～400℃、时间为0.1分钟～60分钟。
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