[发明专利]一种纳米复合相变材料及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米复合相变材料，其特征在于：该纳米复合相变材料是用一种或多种铁电材料与相变材料复合而成；所述铁电材料为钙钛矿结构氧化物、BaxSr_xTiO₃、BaZr_xTi_1-xO₃、BaSn_xTi_1-xO₃或PbZr_xTi_1-xO₃中的一种或多种，其中x取值范围为0～1；所述相变材料为锗锑碲合金、锑碲合金、锗锑合金或为其它硫系化合物相变材料中的一种。

2.如权利要求1所述的纳米复合相变材料，其特征在于：相变材料被铁电材料隔离，铁电材料可控地按一定的形状与大小均匀地分布在复合材料中，相变材料被限制在一个被铁电材料包围的微小区域内，相变材料的颗粒为大小小于100nm直径的球状体。

3.一种如权利要求1所述的纳米复合相变材料的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤，

1)清洗两块(100)取向的硅衬底，在其中一块硅衬底上制备钨电极；

2)再沉积有钨电极的衬底上沉积氧化硅层；

3)利用曝光-刻蚀工艺在氧化硅层上刻出小孔，采用的曝光方法为电子束曝光，而刻蚀方法为反应离子刻蚀；

4)在硅衬底和长有钨电极的硅衬底上制备纳米复合相变材料；

5)在沉积有纳米复合相变材料的小孔衬底上沉积铝电极；

6)再一次利用曝光-刻蚀工艺将部分铝电极和部分纳米复合相变材料一起刻去，制备出上电极，从而形成相变存储器器件。

4.如权利要求3所述的纳米复合相变材料的制备方法，其特征在于：利用Ge₂Sb₂Te₅合金靶和Ba_0.5Sr_0.5TiO₃靶两靶同时溅射法制备纳米复合相变材料。

5.如权利要求3所述的纳米复合相变材料的制备方法，其特征在于：制备纳米复合相变材料的过程中加在Ge₂Sb₂Te₅合金靶上的为直流50瓦，加在Ba_0.5Sr_0.5TiO₃靶上的为射频50瓦，溅射时间为15分钟，沉积厚度为180nm。