[发明专利]一种圆柱体导体材料温度测量装置及其方法无效

专利信息
申请号: 200910047910.4 申请日: 2009-03-20
公开(公告)号: CN101839775A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 杜向阳;程武山;范狄庆;余遒 申请(专利权)人: 上海工程技术大学
主分类号: G01K7/36 分类号: G01K7/36
代理公司: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 代理人: 何葆芳
地址: 200336 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 圆柱体 导体 材料 温度 测量 装置 及其 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电磁参数测量技术领域,具体指一种利用涡流检测技术原理,检测圆柱体导体材料温度的装置及其方法。

背景技术

由于涡流测量装置的输出会受到温度的干扰;并且,材料本身特性在不同的温度下也会呈现不同的特性,因此,在材质检测中,对温度的测量非常重要。现在的涡流测量中,对温度的测量往往不是涡流测量装置本体,这样就会产生温度测量与材质测量的时间差,影响测量的准确度和精度。

发明内容

本发明的目的是为克服上述现有技术存在的缺失,而提出一种以涡流测量装置本体(绝对式多参数涡流测量装置)、利用涡流检测技术原理测量材料温度的装置,即通过本装置可直接测量圆柱体导体材料温度。

该装置包括正弦信号发生器,频率计,安培表,电压表,工作线圈,调零线圈和补偿线圈,相位表。

所述的的信号发生器和频率计由计算机仿真,使用虚拟仪器软件LabVIEW的图形编程G语言编程实现,然后通过美国国家仪器公司NI的数据卡6251输出。

本发明的工作原理:根据欧姆定理和圆柱形导体的磁场渗透公式,

利用文献叙述的内容,可以推导出下面公式:

λEg2Eg0=I2(xi)I0(xi)---(1)]]>

其中:

λ—形状因子;

x—总参数

x=α2πμ0μγσf---(2)]]>

α—传感器线圈的半径

μ0—真空磁导率,4π×10-7H/m

f—磁场频率

引用综合参数,通过贝塞尔公式可以推导出:

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