[发明专利]一种用于片上变压器的高频等效电路结构无效
申请号: | 200910047730.6 | 申请日: | 2009-03-18 |
公开(公告)号: | CN101840441A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 任俊彦;傅海鹏;郑仁亮;李巍;李宁 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 包兆宜 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 变压器 高频 等效电路 结构 | ||
1.一种用于片上变压器的高频等效电路结构,其特征在于,包括:
三电感(L1、L2、L3),五电容(Cox1、Cox2、Cox3、Cox4、Cox5),五并联结构,三电阻(R11、R22、R33)和四电容(Cs1、Cs2、Cs3、Cs4);
其中所述电感(L1)与所述电阻(R11)顺序串联后与所述电容(Cs1、Cs2、Cs3、Cs4)耦接;
所述电感(L2)与所述电阻(R22)、电感(L3)、电阻(R33)顺序串联后与所述电容(Cs1、Cs2、Cs3、Cs4)耦接;
所述电容(Cox1)与所述二并联结构、电容(Cox2)顺序串联后与所述电容(Cs1、Cs2、Cs3、Cs4)耦接;
所述电容(Cox3)与所述二并联结构、电容(Cox4)顺序串联后与所述电容(Cs1、Cs2、Cs3、Cs4)耦接;
所述电容(Cox5)与所述一并联结构顺序串联后与所述电感(L2、L3)耦接。
2.根据权利要求1所述的用于片上变压器的高频等效电路结构,其特征在于,所述三电感(L1、L2、L3)表示高频电感的自感及互感感值;
五电容(Cox1、Cox2、Cox3、Cox4、Cox5)表示顶层金属到衬底的氧化层电容;
五并联结构,表示模拟有损耗的衬底;
三电阻(R11、R22、R33)表示接触孔的接触电阻;
四电容(Cs1、Cs2、Cs3、Cs4)表示是端口之间两层金属的电容耦合。
3.根据权利要求1所述的用于片上变压器的高频等效电路结构,其特征在于,所述并联结构由电容(Csi1、Csi2、Csi3、Csi4、Csi5)和电阻(Rsi1、Rsi2、Rsi3、Rsi4、Rsi5)分别并联组成。
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