[发明专利]一类配位高分子作为电子传输材料的应用无效
| 申请号： | 200910046971.9 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101717366A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 姜鹏;施剑林;步文博;黄为民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C07D215/30 | 分类号： | C07D215/30;C07F5/06;C07F5/00;C09K11/06;H01L51/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一类 高分子 作为 电子 传输 材料 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一类喹啉配位高分子，其结构式为：
其中M为铝、镓、铟等三价金属离子，用于电子传输材料。
2.按权利要求1所述的一类喹啉配位高分子用于有机电致发光二极管的电子传输层材料。
3.按权利要求1或2所述的一类喹啉配位高分子，其中心金属离子为三价铝离子。
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