[发明专利]准单畴高温超导块材磁悬浮双导轨综合实验装置无效

专利信息
申请号: 200910046498.4 申请日: 2009-02-24
公开(公告)号: CN101567650A 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 邱静和;李铭;张义邴 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H02N15/00 分类号: H02N15/00;G09B23/18
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 代理人: 陆聪明
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 准单畴 高温 超导 磁悬浮 导轨 综合 实验 装置
【权利要求书】:

1、一种准单畴高温超导块材磁悬浮双导轨综合实验装置,它包括机座和位于机座上方可装液氮的低温容器,其特征是,上述机座上装有固定的两条导轨,导轨由多块NbFe永磁体排列而成,其表面磁场强度为0.5T~0.6T,上述低温容器的底部装有与上述两条导轨对应的两条准单畴高温超导块材。

2、根据权利要求1所述的准单畴高温超导块材磁悬浮双导轨综合实验装置,其特征是:上述两条导轨底面分别与其机座面板平面的夹角为22°~28°。

3、根据权利要求1或2所述的准单畴高温超导块材磁悬浮双导轨综合实验装置,其特征是:上述低温容器置有可罐液氮的入口。

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