[发明专利]电阻转换存储器

权利要求书

1.一种电阻转换存储器，包括选通单元、数据存储单元；其特征在于：

所述选通单元为肖特基二极管或双极型晶体管，其中，

所述肖特基二极管包括导电字线，所述导电字线为第一导电类型重掺杂 半导体；在所述第一导电类型重掺杂半导体的字线上有第一导电类型轻掺杂 的半导体，在轻掺杂半导体上方有金属层；导电字线上方的轻掺杂半导体是 与字线一体，或是通过薄膜沉积制备到字线上，或是通过圆晶键合到字线上；

所述双极型晶体管包括导电字线，所述导电字线为第一导电类型重掺杂 半导体；第一导电类型重掺杂的导电字线上方的是第二导电类型掺杂的半导 体；第二导电类型掺杂的半导体的上方则又是第一导电类型掺杂的半导体； 上述三层半导体之间形成了双极型晶体管结构；导电字线上方的至少两层半 导体是与第一导电类型重掺杂半导体字线为一体，或是通过薄膜沉积制备到 第一导电类型重掺杂半导体字线上，或是通过圆晶键合到第一导电类型重掺 杂半导体字线上；

所述肖特基二极管或双极型晶体管被至少两个深度不同的浅沟道相互 隔离开，较深的浅沟道用以隔离各字线，较浅的浅沟道用以隔离同一字线上 方的分立选通单元。

2.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其特征在于：

所述选通单元采用的选通单元被两个深度不同的浅沟道相互隔离开。

3.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其特征在于：

器件数据存储的方法是通过电信号对存储材料的编程实现器件电阻的 改变。

4.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其特征在于：

所述浅沟道隔离采用的材料为绝缘材料。

5.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其特征在于：

两个深度不同的浅沟道中，较深的浅沟道用以隔离各字线，较浅的浅沟 道用以隔离同一字线上方的分立肖特基二极管。

6.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其特征在于：

同一导电字线上方拥有数个分立的肖特基二极管。

7.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其特征在于： 所述金属层与第一导电类型轻掺杂半导体层之间形成肖特基接触。

8.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其特征在于：

两个深度不同的浅沟道中，较深的浅沟道用以隔离各字线，较浅的浅沟 道用以隔离同一字线上方的分立双极型晶体管。

9.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其特征在于：

同一导电字线上方拥有数个分立的双极型晶体管。