[发明专利]用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料

权利要求书

1.一种用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料，其特征在于：

其组分为Si_cSb_aSe_b，，其中，

48≤b≤60，20≤a≤40，8≤c≤40，a+b+c＝100；或

60≤b≤80，20≤a≤40，3≤c≤20，a+b+c＝100。

2.如权利要求1所述的用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料，其特征在于：其组分为Si₂₂Sb₂₂Se₅₆、Si₁₄Sb₂₉Se₅₇、及Si₈Sb₃₃Se₅₉中的一者。

3.如权利要求1所述的用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料，其特征在于：其组分为Si₁₀(Sb₇₀Se₃₀)₉₀或Si₅(Sb₇₀Se₃₀)₉₅。

4.如权利要求1所述的用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料，其特征在于：其为通过电脉冲使电阻在低阻和高阻间可逆转换的材料，且其高阻态的阻值比低阻态阻值最少大2倍。

5.如权利要求4所述的用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料，其特征在于：其为通过调节所施加电脉冲的高度和波形，能实现2个以上稳定的电阻值以实现多态存储的材料。

6.如权利要求1所述的用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料，其特征在于：其为通过至少一个激光脉冲能够改变反射率的材料。

7.如权利要求1所述的用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料，其特征在于：其为能够通过激光脉冲实现不同反射率之间的可逆转换的材料。