[发明专利]高亮度发光二极管芯片无效
| 申请号: | 200910046274.3 | 申请日: | 2009-02-17 |
| 公开(公告)号: | CN101807634A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
| 发明(设计)人: | 罗信明 | 申请(专利权)人: | 罗信明 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 丁惠敏 |
| 地址: | 中国台湾屏东*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 亮度 发光二极管 芯片 | ||
1.一种高亮度发光二极管芯片,包含一块基材、一层设置在该基材上并在提供 电能时以光电效应产生光子的作动膜、一层电流扩散层,及一组电极单元,该 电流扩散层以对该作动膜产生的光为透明且可导电的材料构成,并与该作动膜 欧姆接触地形成在该作动膜上,该电极单元具有一与该作动膜连接的第一电 极,及一设置在该电流扩散层上而与该第一电极彼此配合对该作动膜提供电能 的第二电极,且当以该第一、二电极配合提供电能时,电流被该电流扩散层导 引沿该顶面横向均匀分散并向下流通过该作动膜而使该作动膜产生光子;其特 征在于:
该作动膜具有一与该基材连接的底面,及一相反于该底面且与该电流扩散层连 接的顶面,该顶面并区分成多个间隔且均匀散布地以高能量粒子作用过而使电 流无法通过的高能作用区,及一未被高能量粒子作用过因而电阻值相对小于所 述高能作用区的电阻值而可供电流通过的电子流道区。
2.如权利要求1所述的高亮度发光二极管芯片,其特征在于:
该高能作用区是以氩离子进行物理性轰击形成。
3.如权利要求1所述的高亮度发光二极管芯片,其特征在于:
该高能作用区是以混合气体作用形成。
4.如权利要求3所述的高亮度发光二极管芯片,其特征在于:
该混合气体是选自于下列混合气体之一:氩气与氯化硼气体的混合气体、氩气 与氯气的混合气体、氩气与四氟化碳气体的混合气体,氩气、氧气与四氟化碳 气体的混合气体。
5.一种高亮度发光二极管芯片,包含一块由导电材料构成的基材、一层设置在 该基材上的作动膜、一层与该作动膜相欧姆接触地形成在该作动膜上的电流扩 散层,及一块设置在该电流扩散层上的电极片,该作动膜在提供电能时以光电 效应产生光子,该电流扩散层以对该作动膜产生的光为透明且可导电的材料构 成,该电极片与该基材彼此配合对该作动膜提供电能,且当以该电极片与该基 材配合提供电能时,电流被该电流扩散层导引横向均匀分散后向下流通过该作 动膜而使该作动膜产生光子;其特征在于:
该作动膜具有一与该基材连接的底面,及一相反于该底面并与该电流扩散层连 接的顶面,该顶面并区分成多个间隔且均匀散布地以高能量粒子作用过而使电 流无法通过的高能作用区,及一未被高能量粒子作用过因而电阻值相对小于所 述高能作用区的电阻值而可供电流通过的电子流道区。
6.如权利要求5所述的高亮度发光二极管芯片,其特征在于:
该高能作用区是以氩离子进行物理性轰击形成。
7.如权利要求5所述的高亮度发光二极管芯片,其特征在于:
该高能作用区是以混合气体作用形成。
8.如权利要求6所述的高亮度发光二极管芯片,其特征在于:
该混合气体是选自于下列混合气体之一:氩气与氯化硼气体的混合气体、氩气 与氯气的混合气体、氩气与四氟化碳气体的混合气体,氩气、氧气与四氟化碳 气体的混合气体。
9.如权利要求5、6或8所述的高亮度发光二极管芯片,其特征在于:
该基材具有一层基底,及一层以具有高折射率的材料形成在该基底上并与该作 动膜底面连接以反射光的反射镜。
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