[发明专利]栅氧化层失效分析方法及所用测试结构有效
| 申请号： | 200910046145.4 | 申请日： | 2009-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101807535A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 郭强;王玉科;龚斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 失效 分析 方法 所用 测试 结构 | ||
1.一种用于栅氧化层失效分析的测试结构，其特征在于，包括含有栅氧化层的待测半导体器件，以及位于所述待测半导体器件外围的在施加偏置电压后能产生光发射的至少1个半导体器件，进行测试时，同时对所述待测半导体器件以及所述至少1个半导体器件施加偏置电压，所述待测半导体器件上的失效点在被加上偏置电压时产生光发射。
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于：所述至少1个半导体器件为MOS晶体管。
3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于：所述至少1个半导体器件为PN结。
4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于：所述至少1个半导体器件为3个。
5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于：所述至少1个半导体器件位于同一平面内。
6.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于：所述至少1个半导体器件设置在所述半导体器件外围的切割道上。
7.一种栅氧化层失效分析方法，包括：
在含有栅氧化层的待测半导体器件外围设置在施加偏置电压后能产生光发射的至少1个半导体器件；
对所述至少1个半导体器件施加偏置电压，捕捉其产生的发光点，同时对含有栅氧化层的待测半导体器件施加偏置电压，捕捉栅氧化层的失效点上产生的发光点；
计算栅氧化层的失效点上产生的发光点与至少1个半导体器件产生的发光点的相对位置；
根据所述至少1个半导体器件的实际物理位置和计算得到的栅氧化层的失效点上产生的发光点与至少1个半导体器件产生的发光点的相对位置定位栅氧化层的失效点的实际物理位置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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