[发明专利]一种图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其中，包括：

衬底，其上形成有焊盘区、其他电路区和有源像素区；

主像素区，形成于所述有源像素区中；

钝化层，其仅存在于所述其他电路区和所述主像素区中。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，其中，所述第一钝化层形成于所述其他电路区中，所述第二钝化层形成于所述主像素区中。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于：所述第二钝化层还形成于所述其他电路区中。

4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第二钝化层覆盖所述第一钝化层。

5.如权利要求2至4中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述第一钝化层的厚度的取值范围为

6.如权利要求2至4中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述第二钝化层的厚度的取值范围为

7.如权利要求2至4中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述第一钝化层包括氮化硅。

8.如权利要求2至4中任一项任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述第二钝化层包括氮化硅或氮氧化硅。

9.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述图像传感器为CMOS图像传感器。

10.如权利要求9所述的图像传感器，其特征在于：所述CMOS图像传感器为彩色CMOS图像传感器。

11.一种图像传感器的制造方法，其中，包括如下步骤：

A.在衬底上形成焊盘区、其他电路区和有源像素区；

B.在所述有源像素区中形成主像素区；

C.形成钝化层，所述钝化层仅存在于所述其他电路区和所述主像素区中。

12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述步骤C包括如下步骤：

C3.在所述焊盘区、其他电路区和有源像素区中形成第二钝化层；

C4.去除所述焊盘区中的所述第二钝化层。

13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤C中，且在所述步骤C3之前还包括如下步骤：

C1.在所述焊盘区、其他电路区和有源像素区中形成第一钝化层；

C2.去除所述主像素区中的所述第一钝化层；

其中，所述步骤C4还包括：

-去除所述焊盘区中的所述第一钝化层。

14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述步骤C4还包括如下步骤：

-去除其他电路区中的所述第二钝化层。

15.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第一钝化层的厚度的取值范围为

16.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第二钝化层的厚度的取值范围为

17.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第一钝化层和第二钝化层的形成采用的是化学气相淀积。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述化学气相淀积包括等离子体增强化学气相沉积。

19.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述主像素区中的所述第一钝化层、所述去除所述焊盘区中的所述第一钝化层、去除所述焊盘区中的所述第二钝化层以及去除其他电路区中的所述第二钝化层采用的是刻蚀。

20.如权利要求19所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀包括干法刻蚀。

21.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第一钝化层包括氮化硅。

22.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第二钝化层包括氮化硅或氮氧化硅。

23.如权利要求11所述的图像传感器，其特征在于：所述图像传感器为CMOS图像传感器。

24.如权利要求23所述的图像传感器，其特征在于：所述CMOS图像传感器为彩色CMOS图像传感器。