[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法无效
| 申请号： | 200910045822.0 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101789389A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，该方法包括：
在半导体衬底上依次形成垫氧化层和阻挡层，在半导体衬底内形成浅沟槽；
对垫氧化层进行回蚀；
在浅沟槽的侧壁上形成衬氧化层；
对阻挡层进行回蚀；
向浅沟槽内填充绝缘层，去除阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对垫氧化层进行回蚀包括：
使用稀的氢氟酸溶液对所述垫氧化层进行回蚀。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述稀的氢氟酸溶液的浓度为200～300∶1。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述稀的氢氟酸溶液的浓度为300∶1。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
在对垫氧化层进行回蚀时，所述回蚀的宽度为20～110埃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
在对垫氧化层进行回蚀时，所述回蚀的宽度为50埃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对阻挡层进行回蚀包括：
使用磷酸溶液对所述阻挡层进行回蚀。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述磷酸溶液的浓度为85％。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
在对阻挡层进行回蚀时，所述回蚀的宽度为40～60埃。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
在对阻挡层进行回蚀时，所述回蚀的宽度为50埃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
