[发明专利]传输线驱动电路有效

专利信息
申请号: 200910045702.0 申请日: 2009-01-23
公开(公告)号: CN101789775A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 张文翩 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H03K17/041 分类号: H03K17/041;H03K17/14;H03K17/16
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 传输线 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种传输线驱动电路,其特征在于,包括:

斜率控制单元,用于产生随时钟周期变化的偏置电流;

输入单元,用于接收输入的数字信号以及所述偏置电流,根据所接收的数 字信号,输出斜率随所述偏置电流而变化的第一信号;

输出单元,用于对从输入单元所接收的所述第一信号进行处理后,输出第 二信号;

所述输出单元包括与所述输入单元相连接的驱动MOS管,所述偏置电流 与所述驱动MOS管的漏源电压与时钟频率的乘积成正比;

所述第二信号在上升/下降区域的变化率正比于所述偏置电流与所述驱动 MOS管的漏源电压的比值;

其中,所述斜率控制单元包括:时钟控制单元,用于根据时钟信号,获 得并输出第一控制信号和第二控制信号,所述第一控制信号和所述第二控制 信号为二相不交叠信号;压差单元,用于产生整数倍于所述驱动MOS管的漏 源电压的电压差值;偏置单元,用于根据所述第一控制信号和所述第二控制 信号,对所述电压差值进行处理,获得偏置电流;

所述压差单元包括第一子压差单元,至少包括以二极管方式连接的第一 PMOS管、与所述第一PMOS管串联的第一电流源以及以所述第一PMOS管 栅极电压作为输入电压的运算放大器,用于产生所述驱动MOS管的漏源电压 成正比的第一电压,此处所述以二极管方式连接的第一PMOS管指的是所述 第一PMOS管的源极与电源相连接,第一PMOS管的栅极与其漏极相连接;

第二子压差单元,至少包括以二极管方式连接的第二PMOS管、与所述第 二PMOS管串联的第二电流源以及以所述第二PMOS管栅极电压作为输入电 压的运算放大器,用于产生所述驱动MOS管的漏源电压成正比的第二电压, 此处所述以二极管方式连接的第二PMOS管指的是,所述第二PMOS管的源 极与电源相连接,第二PMOS管的栅极与其漏极相连接;其中,所述第一电 压与所述第二电压之间的差值为所述电压差值;

或者,所述压差单元包括:第一子压差单元,至少包括以二极管方式连 接的第一PMOS管以及与所述第一PMOS管串联的第一电流源,用于以所述 第一PMOS管栅极电压为输出端,输出与所述驱动MOS管的漏源电压成正比 的第一电压,此处所述以二极管方式连接的第一PMOS管指的是所述第一 PMOS管的源极与电源相连接,第一PMOS管的栅极与其漏极相连接;第二 子压差单元,至少包括以二极管方式连接的第二PMOS管以及与所述第二 PMOS管串联的第二电流源,用于以所述第二PMOS管栅极电压为输出端, 输出与所述驱动MOS管的漏源电压成正比的第二电压,此处所述以二极管方 式连接的第二PMOS管指的是,所述第二PMOS管的源极与电源相连接,第 二PMOS管的栅极与其漏极相连接;第一运算放大器,包括多组正负输入端, 用于将所述第一电压和所述第二电压分别输入其中一组正输入端和对应的负 输入端;

所述输入单元至少包括:第三电流源、第一NMOS管、第四PMOS管、 第四电流源、第二电容和电压钳制电路;所述第三电流源的输入端与电源相 连,其输出端与所述第四PMOS管的源极相连;所述第四PMOS管和所述第 一NMOS管构成反相器:所述第四PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的 栅极相连,作为该反相器的输入端;所述第四PMOS管的漏极与所述第一 NMOS管的漏极相连,作为该反相器的输出端,并与所述第二电容的一端以 及所述电压钳制电路相连接;所述第一NMOS管的源极通过所述第四电流源 接地;所述反相器的输入端作为传输线驱动电路的输入端,用于接收数字信 号,其输出端作为该输入单元的输出端;所述第二电容的另一端接地;

所述输出单元至少包括:第二NMOS管、第五PMOS管、第三NMOS 管、第六PMOS管、第四NMOS管和第五电流源;所述第五电流源的输入端 连接电源,输出端与所述第五PMOS管以及所述第六PMOS管的源极相连接;

所述第五PMOS管的栅极与所述输入单元的输出端相连,所述第五PMOS 管的漏极与所述第二NMOS管的漏极及其栅极相连接;所述第六PMOS管的 漏极与所述第三NMOS管的漏极及其栅极、以及所述第四NMOS管的栅极相 连接,所述第六PMOS管的栅极连接共模电压;所述第二NMOS管的源极与 所述第三NMOS管及所述第四NMOS管的源极相连接;所述第四NMOS管 的漏极作为所述输出单元的输出端。

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