[发明专利]形成快闪存储器的方法无效
| 申请号： | 200910045591.3 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101783325A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 刘艳;周儒领;黄淇生;詹奕鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 闪存 方法 | ||
1.一种形成快闪存储器的方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有浅沟槽隔离结构；
在半导体衬底上形成隧穿氧化层；
在隧穿氧化层及浅沟槽隔离结构上形成高温氧化硅层；
在高温氧化硅层上形成第一多晶硅层；
刻蚀第一多晶硅层至露出高温氧化硅层，形成浮置栅极；
在浮置栅极和浅沟槽隔离结构上形成栅间绝缘层；
在栅间绝缘层上形成控制栅极。
2.根据权利要求1所述形成快闪存储器的方法，其特征在于，所述高温为温度600℃～800℃。
3.根据权利要求1所述形成快闪存储器的方法，其特征在于，形成高温氧化硅层的方法为化学气相沉积法。
4.根据权利要求3所述形成快闪存储器的方法，其特征在于，所述高温氧化硅层的厚度为50埃～70。
5.根据权利要求1所述形成快闪存储器的方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的材料为二氧化硅。
6.根据权利要求5所述形成快闪存储器的方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为30埃～50埃。
7.根据权利要求6所述形成快闪存储器的方法，其特征在于，形成隧穿氧化层的方法为热氧化法。
8.根据权利要求1所述形成快闪存储器的方法，其特征在于，所述栅间绝缘层的材料为氧化硅、氧化硅-氮化硅或氧化硅-氮化硅-氧化硅。
9.根据权利要求8所述形成快闪存储器的方法，其特征在于，所述栅间绝缘层的厚度为150埃～200埃。
10.根据权利要求9所述形成快闪存储器的方法，其特征在于，形成栅间绝缘层的方法为化学气相沉积。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
