[发明专利]一种电解电容器用铝箔腐蚀工艺无效
| 申请号： | 200910042983.4 | 申请日： | 2009-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101503801A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 曾建皇;高伯安;彭书洪;徐永进;陈建军;刘伟强 | 申请（专利权）人： | 日丰（清远）电子有限公司;深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | C23F17/00 | 分类号： | C23F17/00;C23F1/20;C25F3/04;H01G9/045;H01G9/055 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 | 代理人： | 宁星耀 |
| 地址： | 511517广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电解电容 器用 铝箔 腐蚀 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种电解电容器用铝箔腐蚀工艺，包括以下步骤：前处理、交流预腐蚀、中间处理、后续腐蚀、后处理，其特征在于，后续腐蚀采用多级低频交流腐蚀和化学腐蚀交替腐蚀的工艺；所述交替腐蚀顺序为：一级低频交流腐蚀后叠加一级化学腐蚀；多级交替腐蚀的级数为2-4级；所述化学腐蚀工艺条件为：采用10wt％-25wt％的盐酸、0.1wt％-0.5wt％的硫酸、0.1-2ppm的氯化铜、0-10wt％的三氯化铝混合溶液，温度为50℃-70℃，处理时间为0.5-2分钟。
2.如权利要求1所述的电解电容器用铝箔腐蚀工艺，其特征在于：所述低频交流腐蚀工艺条件为：交流电频率≤30Hz，采用10wt％～25wt％的盐酸、1wt％-10wt％的草酸、0.1wt％-0.5wt％的硫酸和0-10wt％的三氯化铝混合溶液，温度20-40℃，电流密度4-40A/dm2，总电量为3000-20000C/dm2。
3.如权利要求1或2所述的电解电容器用铝箔腐蚀工艺，其特征在于：所述低频交流腐蚀工艺中腐蚀液温度逐级降低，而电流密度则逐级升高。
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