[发明专利]一种非挥发性电阻存储元件及其制备方法

权利要求书

1.一种非挥发性电阻存储元件，其特征在于该存储元件包括：

(1)NiO/Mg_xZn_1-xO(x＝0.4～1)p-n异质结薄膜层；

(2)配置制作在上述NiO/Mg_xZn_1-xO(x＝0.4～1)p-n异质结薄膜层上表面的Pt电极；

(3)配置在上述NiO/Mg_xZn_1-xO(x＝0.4～1)p-n异质结薄膜层下表面的Pt电极；

所述NiO和Mg_xZn_1-xO层之间的位置关系为上下关系。

2.一种制备权利要求1所述非挥发性电阻存储元件的方法，其特征在于该方法包括如下步骤：

(1)配制NiO溶胶；

(2)配制Mg_xZn_1-xO(x＝0.4～1)溶胶；

(3)在基体上制备NiO/Mg_xZn_1-xO(x＝0.4～1)p-n异质结薄膜，并对该薄膜进行热处理；

(4)将上述经热处理后的异质结薄膜的上表面镀Pt电极，从而制备得到本发明的非挥发性电阻存储元件；

3.根据权利要求2所述制备方法，其特征在于所述步骤(1)中，NiO溶胶的配制是采用溶胶-凝胶法，由二乙醇胺、乙二醇甲醚和醋酸镍反应制备得到。

4.根据权利要求2所述制备方法，其特征在于所述步骤(2)中，Mg_xZn_1-xO(x＝0.4～1)溶胶的配制是采用溶胶-凝胶法，由二乙醇胺、乙二醇甲醚、醋酸锌和醋酸镁反应制备得到。

5.根据权利要求2所述制备方法，其特征在于所述步骤(3)中，NiO/Mg_xZn_1-xO(x＝0.4～1)p-n异质结薄膜的制备是先采用步骤(2)制备所得Mg_xZn_1-xO(x＝0.4～1)溶胶在基体上通过甩胶-预处理-甩胶的操作得到Mg_xZn_1-xO(x＝0.4～1)薄膜，然后采用步骤(1)制备所得NiO溶胶在前述Mg_xZn_1-xO(x＝0.4～1)薄膜上通过甩胶-预处理-甩胶的操作制备得到NiO/Mg_xZn_1-xO(x＝0.4～1)p-n异质结薄膜。

6.根据权利要求5所述制备方法，其特征在于所述甩胶-预处理-甩胶的操作中，甩胶参数为2500～4000转/分钟，时间为20～30秒；预处理的温度为200～400℃，时间为5～10分钟。

7.根据权利要求2所述制备方法，其特征在于所述步骤(3)中，热处理是指在500～700℃的温度下，对制备所得NiO/Mg_xZn_1-xO(x＝0.4～1)p-n异质结薄膜退火处理1～2个小时，然后冷却到室温。