[发明专利]一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法

权利要求书

1、一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，采用单步扩散法对p型硅片进行重掺杂，在重掺杂硅片前电极区域处丝网印刷上高分子聚合物材料作为耐腐蚀阻挡层，其余非前电极区域经过化学腐蚀成为轻掺杂的发射极，除去耐腐蚀阻挡层，即制备得前电极为重掺杂而其它区域为轻掺杂的选择性发射极结构，最后采用太阳电池常规制备方法即制备得选择性发射极晶体硅太阳电池。

2、根据权利要求1所述的选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)均匀P重扩散：以POCl₃为液态源，采用单步扩散法对晶体硅片进行p重扩散，制备得p-n⁺结；

(2)耐腐蚀阻挡层的制备：在前电极区域处丝网印刷高分子聚合物耐腐蚀层以阻止化学腐蚀液对前电极下方n⁺区的腐蚀；

(3)选择性发射极的化学腐蚀：采用化学腐蚀液对非前电极区域的n⁺区进行腐蚀；

(4)耐腐蚀阻挡层的去除：采用试剂将耐腐蚀阻挡层从硅片上面剥离；

(5)选择性发射极太阳电池的制备：在上述步骤处理过的选择性电极结构上，采用太阳电池常规技术，制得选择性发射极太阳电池。

3、根据权利要求2所述的选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的晶体硅片为单晶硅片或多晶硅片。

4、根据权利要求2所述的选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)中制备的n⁺的方块电阻为20～30Ω/□。

5、根据权利要求2所述的选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的高分子聚合物是丙烯酸树脂。

6、根据权利要求2所述的选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中耐腐蚀层还需要经过烘干和固化，烘干和固化温度为150～200℃。

7、根据权利要求2所述的选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)中的化学腐蚀液为混合酸液，所述混合酸液为HF和HNO3的水溶液，HF、HNO3和水三者的配比是1∶3～7∶5～11，腐蚀时间是30～60s。

8、根据权利要求2所述的选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)中腐蚀后的发射极方块电阻为80～120Ω/□。

9、根据权利要求2所述的选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(4)中采用的试剂是乙醇。

10、根据权利要求2所述的选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(4)中太阳电池的常规制备技术包括：PECVD SiNx薄膜制备，丝网印刷前、后电极、背场，烧结，分析测试及表征。