[发明专利]单层有机交叉点结构的电学存储器及其制备方法

权利要求书

1、一种单层有机交叉点结构的电学存储器，其特征在于包括基板、条形底电极、有机小分子层和条形顶电极，所述条形底电极镀在基板上，有机小分子层蒸镀在条形底电极和基板上，条形顶电极与条形底电极呈交叉状并蒸镀在有机小分子层上。

2、如权利要求1所述的单层有机交叉点结构的电学存储器，其特征在于基板选用玻璃或硅片或陶片；条形底电极的选用导电金属氧化物，如氧化铟锡或掺杂氟的氧化锡或氧化锌；有机小分子选用8-羟基喹啉铝或AIDCN或足球浠。

3、权利1或2所述电学存贮器的制备方法，其特征在于包括下述步骤：

A)制备条形底电极：将镀有导电金属氧化物层的基板，用光刻或蚀刻法将基板上的导电金属氧化物层相间刻成相互平行的细条形，留存在基板上的导电金属氧化物条即为条形底电极，然后将刻有条形底电极及其基板依次浸入去离子水、丙酮、异丙醇中，分别用超声波清洗干净，取出干燥后为条形底电极板，备用；

B)将干燥后的条形底电极板置于真空镀膜机中热蒸镀一层的有机小分子层，再在有机小分子层表面蒸镀一层金属膜后取出；

C)取出后用光刻或蚀刻法将金属膜相间刻成与条形底电极呈交叉状的相互平行的细长形金属条即为条形顶电极，再依次浸入去离子水、丙酮、异丙醇中，分别用超声波清洗干净，取出干燥后为存储芯片；

D)将存储芯片接上引线和封装后即为电学存储器，各条形底电极与条形顶电极交叉点之间的界面上可自发形成的纳米点即为电学存储器的各存储单元。

4、如权利要求3所述的电学存贮器的制备方法，其特征在于在所述条形底电极和条形顶电极的宽度选为0.001-0.2mm，热蒸镀的有机小分子层的厚度选为50-500nm，真空镀膜机的蒸镀速度选为0.1-10nm/s。