[发明专利]绝缘体上硅材料的平板显示器驱动芯片及制备方法

权利要求书

1.一种显示器驱动芯片，包括P型衬底(9)，在P型衬底(9)上设有埋 氧层(7)，在埋氧层(7)上设有高压P型横向金属氧化物半导体管(1)、高压 N型横向金属氧化物半导体管(2)、高压二极管(3)和低压器件(4)，其特征 在于高压P型横向金属氧化物半导体管(1)与高压N型横向金属氧化物半导体 管(2)相邻且高压P型横向金属氧化物半导体管(1)的漏端与高压N型横向 金属氧化物半导体管(2)的源端相邻，高压二极管(3)位于高压N型横向金 属氧化物半导体管(2)与低压器件(4)之间，在高压P型横向金属氧化物半导 体管(1)一侧设有第一双槽结构，在高压P型横向金属氧化物半导体管(1)另 一侧与高压N型横向金属氧化物半导体管(2)之间设有第二双槽结构，在高压 N型横向金属氧化物半导体管(2)与高压二极管(3)之间设有第三双槽结构， 在高压二极管(3)与低压器件(4)之间设有第四双槽结构，在低压器件(4) 内部没有槽结构隔离，在低压器件(4)另一侧设有第五双槽结构，第一双槽结 构由平行设置的第一氧化隔离层(91A)和第二氧化隔离层(91B)组成，第二 双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(92A)和第二氧化隔离层(92B)组成， 第三双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(93A)和第二氧化隔离层(93B) 组成，第四双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(94A)和第二氧化隔离层 (94B)组成，第五双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(95A)和第二氧化 隔离层(95B)组成。

2.根据权利要求1所述的显示器驱动芯片，其特征在于高压P型横向金属 氧化物半导体管(1)包括N型外延层(81)，在N型外延层(81)内设有P型 漂移区(11)、漏端P型重掺杂阱(17)及N型重掺杂阱(18)，在P型漂移区 (11)上设有源端P型重掺杂阱(13)，在外延层(81)及P型漂移区(11)上 的源端P型重掺杂阱(13)、漏端P型重掺杂阱(17)及N型重掺杂阱(18)以 外的区域设有栅氧化层(12)和场氧化层(5)且栅氧化层(12)位于源端P型 重掺杂阱(13)与漏端P型重掺杂阱(17)之间，在栅氧化层(12)的与漏端P 型重掺杂阱(17)相邻的鸟嘴下方设有P型阱(16)，在源端P型重掺杂阱(13) 与P型阱(16)之间的栅氧化层(12)上方设有多晶硅栅极(15)，在场氧化层 (5)、栅氧化层(12)、源端P型重掺杂阱(13)、多晶硅栅极(15)、漏端P型 重掺杂阱(17)及N型重掺杂阱(18)的上方设有二氧化硅氧化层(6)，在源 端P型重掺杂阱(13)、多晶硅栅极(15)、漏端P型重掺杂阱(17)及N型重 掺杂阱(18)上分别连接有金属引线，在二氧化硅氧化层(6)上设有金属场板 (14)且金属场板(14)位于与源端P型重掺杂阱(13)相邻的多晶硅栅极(15) 端部上方，在P型漂移区(11)的下方设有P型重掺杂埋层(10)且P型重掺 杂埋层(10)位于源端P型重掺杂阱(13)的下方，所述P型重掺杂埋层(10) 始于P型漂移区(11)并止于埋氧层(7)。