[发明专利]单晶炉炉底板与电极套的装配方法

说明书

技术领域

本发明涉及单晶炉，具体涉及一种单晶炉炉底板与电极套的装配方法。

背景技术

半导体硅单晶的大部份均用切克劳斯基(Czochralski)法制造。在这种方法中，多晶硅被装进石英坩埚内，加热熔化，然后，将熔硅略做降温，给予一定的过冷度，把一支特定晶向的硅单晶体(称做籽晶)与炼体硅接触，通过调整熔体的温度和籽晶向上提升速度，使籽晶体长大至近目标支径时，提高提升速度，使单晶体近恒直径生长。在生长过程的尾期，此时埚内的硅熔体尚未完全消失，通过增加晶体的提升速度和调整向涡的供热量将晶体直径渐渐减小而形成一个尾锥体，当锥体的失足够小时，晶体就会与炼体脱离，从而完成晶体的生长过程。

多晶硅的熔炼对于单晶炉的要求非常高，例如炉底板与电极套的装配需要确保电极套与炉底板的垂直度，所以炉底板上的孔与电极套配合要求较高。在现有技术中，炉底板上加工的装配孔首先采用铣床通过镗削加工得到，而镗削不但速度慢，而且镗出的装配孔的精度低，使装配孔的中心度很难保证。在炉底板上镗好装配孔以后，即可装配电极套。电极套与炉底板的装配方式为：将电极套置入装配孔中，通过焊接形式固定，由于装配孔本身质量的因素，造成电极套的中心孔无法与炉底板保持垂直，因此，还需对电极套的中心孔经镗削加工，使电极套与炉底板保持垂直度，但这样一来，使得操作变得烦琐，并且还提高了生产成本。

发明内容

针对上述技术问题，本发明的目的是提供一种能够确保电极与炉底板垂直度的单晶炉炉底板与电极套的装配方法。

实现本发明方法的技术方案如下：

单晶炉炉底板与电极套的装配方法，包括以下步骤：

步骤一，将炉底板置于数控机床上通过线切割方式加工得到用于与电极套过盈配合的装配孔；

步骤二，将电极套以过盈装配方式装配于装配孔中；

步骤三，将电极套与炉底板进行焊接固定。

所述电极套与炉底板以氩弧焊焊接焊接固定。

采用了上述方案，在炉底板上的装配孔采用线切割加工后，使得装配孔的精度得以提高，装配孔与电极套配合稍有过盈，保证了垂直度、节约了加工成本，保证了质量。并且将电极套与炉底板进行焊接固定后，无需再对电极套的中心孔进行加工，节约了加工工序，利于降低生产成本。

附图说明

图1为本发明的炉底板与电极套的装配结构图；

附图中，1为炉底板，2为电极套。

具体实施方式

本发明的单晶炉炉底板与电极套的装配方法，包括以下步骤：

步骤一，将炉底板1置于数控机床上通过线切割方式加工得到用于与电极套2过盈配合的装配孔。

步骤二，将电极套以过盈装配方式装配于装配孔中。

步骤三，将电极套2与炉底板1进行焊接固定，电极套与炉底板以氩弧焊焊接焊接固定。