[发明专利]医用钛合金植入材料表面的氮化碳改性薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910030710.8 申请日: 2009-04-10
公开(公告)号: CN101555586A 公开(公告)日: 2009-10-14
发明(设计)人: 王继刚;刘敏 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/16;A61L27/30;A61L27/06
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 叶连生
地址: 211109江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 医用 钛合金 植入 材料 表面 氮化 改性 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种医用钛合金植入材料表面的氮化碳改性薄膜的制备方法,其特征在于:利用直流磁控溅射方法,在镍钛合金、Ti6Al4V、钛铌锆锡-Ti24Nb4Zr7.9Sn医用钛合金表面先沉积钛过渡层,再溅射具有良好生物医用性能的氮化碳改性薄膜。

2.如权利要求1所述的医用钛合金植入材料表面的氮化碳改性薄膜的制备方法,其特征在于:具体过程如下:

1)靶材和基底的安装及真空度控制:将纯钛靶、高纯石墨靶、以及镍钛合金、Ti6Al4V、钛铌锆锡-Ti24Nb4Zr7.9Sn医用钛合金基底分别固定安装于真空反应室中相应的靶位和溅射沉积位置;再关闭真空反应室,依次利用机械泵、分子泵,将反应室抽至真空,并控制本底真空度≤1.0×10-3Pa;

2)钛过渡层的沉积:

①以氩气为工作气体,氩气流量为5-30sccm,通过气体流量计调整氩气的通入量,并调整真空室的工作气压为0.5-3.0Pa;

②调整溅射位置,将纯钛靶对准空白溅射位,调整溅射功率为100-300W,加载电压进行辉光放电电离氩气并产生等离子体,利用氩离子刻蚀钛靶1-2分钟以除去表面氧化物、杂质以及油污;

③再次调整溅射位置,将纯钛靶对准钛合金,继续溅射10-20分钟;

3)氮化碳改性薄膜的沉积:

①以氩气和氮气的混合气体为工作气体;氩气流量为5-30sccm,氮气流量为5-30sccm,通过气体流量计调整氩气和氮气通入量的相对比例,并控制真空室的工作气压为0.5-30Pa;

②调整靶位,将高纯石墨靶对准钛合金,并继续加载电压进行辉光放电轰击石墨靶,通过溅射出来的碳离子与真空反应室中电离的氮离子结合为氮化碳,并沉积到钛合金表面的钛过渡层上形成氮化碳薄膜,溅射时间控制在1-5小时。

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