[发明专利]肖特基型核电池及其制备方法无效

申请号：	200910030429.4	申请日：	2009-04-10
公开（公告）号：	CN101527174A	公开（公告）日：	2009-09-09
发明（设计）人：	陆敏	申请（专利权）人：	苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号：	G21H1/00	分类号：	G21H1/00;H01L21/205;H01L21/283
代理公司：	南京苏科专利代理有限责任公司	代理人：	陈忠辉
地址：	215125江苏省苏州***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	肖特基型核电及其制备方法
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【权利要求书】：

1.肖特基型核电池，其特征在于：电池底部Al₂O₃衬底表面设有 n型掺杂层，n型掺杂层表面设有表面积小于n型掺杂层的本征GaN 绝缘层，肖特基接触电极和n型接触电极分别设置在对应的绝缘层和 n型掺杂层表面上，并在肖特基接触电极表面设有相同表面积的纯β 同位素层，其中n型掺杂层是掺杂有硅且掺杂浓度介于1×10¹⁸/cm³～ 1×10¹⁹/cm³的GaN层，所述绝缘层的厚度为15～100μm。

2.根据权利要求1所述的肖特基型核电池，其特征在于：所述纯β同位素层为镍-63、钷-147或锶-90。

3.根据权利要求1所述的肖特基型核电池，其特征在于：所述 Al₂O₃衬底与n型掺杂层之间设有氮化镓缓冲层。

4.根据权利要求3所述的肖特基型核电池，其特征在于：所述 n型掺杂层的厚度为1～3μm。

5.根据权利要求1所述的肖特基型核电池，其特征在于：所述肖特基接触电极的厚度为15～30nm。

6.根据权利要求1所述的肖特基型核电池，其特征在于：所述同位素层与肖特基接触电极的表面积一致，其取值介于0.01- 1800mm²。

7.一种制备权利要求1所述的肖特基型核电池的方法，其特征在于：包括步骤：

(1)在Al₂O₃衬底的抛光面上使用MOCVD外延方法生长n型掺杂层，并在MOCVD外延同时控制掺杂浓度在1×10¹⁸/cm³到1×10¹⁹/cm³ 之间通入SiH₄；

(2)使用HVPE外延方法在n型GaN掺杂层上生长厚度为15～ 100μm的GaN绝缘层；

(3)采用半导体加工，在n型掺杂层表面得到n型掺杂层台阶；

(4)在裸露的n型GaN台阶面上磁控溅射并沉积Ti/Al/Ti/Au合金，形成n型接触电极，并在GaN绝缘层表面也磁控溅射并沉积完整覆盖的Ni/Au合金，形成肖特基接触电极；

(5)将同位素层粘结在肖特基接触电极的表面；

(6)进行核电池封装。