[发明专利]带超大电阻和大容量电容的结型场效应管及制备方法

权利要求书

1.一种带超大电阻和大容量电容的结型场效应管，其特征在于该结型场效应管的结构是在栅极与源极之间增加超大阻值多晶硅电阻，在栅极与漏极极之间增加大容量电容。

2.一种带超大电阻和大容量电容的结型场效应管的制备方法，其特征在于该结型场效应管的制备工艺步骤如下：

1).投料：采用P型基片，晶向为<111>电阻率为8～13Ω·cm；

2).外延生长：T＝3.6～4.4um ρ＝1.08～1.32Ω·cm；

3).标记光刻，刻蚀：刻蚀出对位标记，以供后面工序对准；

4).薄氧氧化：      生长500左右的热氧化层，主要作为注入氧化层；

5).隔离光刻，注入：注入区域为隔离槽区，注入能量为60KEV左右，注入剂量为2.0E15B～3E15，杂质为硼；

6).隔离退火：温度为1200℃，通氮气，退火时间为30分钟左右，

7).漂氧化层：将圆片表面的二氧化硅全部用1∶1HF酸腐蚀4分钟使圆片表面二氧化硅的厚度小于50

8).隔离测试：测试不同隔离岛之间的漏电流，如果漏电流在100uA以下，表明隔离已经基本隔通；

9).薄氧氧化：生长500左右的热氧化层，主要作为注入氧化层；

10).基区光刻，注入：光刻得到基区区域，并对基区区域进行离子注入，注入能量为60KEV左右，注入剂量为3.0E14杂质为硼；

11).TOES：淀积5000左右的二氧化硅；

12).基区退火：退火温度1100℃，通氮气，退火时间120分钟；

13).E区光刻，腐蚀：光刻、腐蚀出来E区窗口；

14).E区予扩：扩散区域为N+扩散区，温度由800℃升温至900℃，先通5分钟氮气，接着通15分钟的扩散磷源，最后再通5分钟的氮气，在此过程温度均为900℃；

15).予扩后测试：此时结型场效应管已经形成，对其电流Idss进行测试，如果达到要求，可继续下道工序；如果电流Idss偏大，需要继续进基区退火来调整Idss大小；

16).N+扩散：温度由800℃升温至1000℃，先通5分钟氮气，接着通15分钟的扩散磷源，最后再通5分钟的氮气，在此过程温度均为1000℃；

17).E区TEOS：淀积5000左右的二氧化硅；

18).LP多晶：淀积4000左右的多晶硅；

19).多晶注入：注入能量为60KEV左右，注入剂量为3.0E13，杂质为硼；

20).电阻头注入：注入区域为多晶电阻头，注入能量为60KEV左右，注入剂量为2.0E15、杂质为硼；

21).多晶光刻：将多晶电阻以外的多晶硅刻蚀掉；

22).去背面多晶：去掉圆片背面的多晶硅；

23).TEOS：淀积5000左右的二氧化硅；

24).多晶退火：退火温度为900℃，通氮气，退火时间为10分钟；

25).孔光刻、腐蚀：将引线孔打开；

26).溅射铝硅：溅射0.8～1.2微米铝硅；

27).铝光刻、刻蚀：制作器件金属引线；

28).CVD钝化：淀积10000钝化保护层；

29).PESI3N4：淀积5000

30).SI3N4刻蚀：将5000刻蚀掉，此工艺可以提高超高阻值多晶硅电阻的片内均匀性和稳定性；

31).压点光刻、刻蚀：光刻刻蚀出压点区域。