[发明专利]气-液-固相法制备硅纳米线无效
| 申请号： | 200910027111.0 | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101891145A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 熊长宏 | 申请（专利权）人： | 熊长宏 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B01J23/52;B01J23/745;B01J23/755;B01J23/08;B01J21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 法制 纳米 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅纳米线的气-液-固相制备方法，其特征是采用金属催化的VLS生长技术.利用金属催化剂诱导制备硅纳米线的，主要工艺步骤是：首先在Si衬底表面上利用溅射或蒸发等工艺沉积一薄层具有催化作用的金属(Au，Fe，Ni，Ga或Al等)，然后进行升温加热，利用金属与Si衬底的共晶作用形成合金液滴，该液滴的直径和分布与金属的自身性质、衬底温度和金属层厚直接相关.此后，通过含Si的源气体(SiH4，Si2H6，或SiCI4等)的气相输运或固体靶的热蒸发，使参与Si纳米线生长的原子在液滴处凝聚成核.当这些原子数量超过液相中的平衡浓度以后，结晶便会在合金液滴的下部析出并最终生长成Si纳米线，而合金则留在其顶部.也就是说，线状的结晶是从衬底表面延伸，并按一定方向形成具有一定形状、直径和长度的Si纳米线的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于熊长宏，未经熊长宏许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910027111.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：固-液-固相法制备硅纳米线
- 下一篇：一种螺旋启钉
