[发明专利]有序可控的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法无效
| 申请号: | 200910026881.3 | 申请日: | 2009-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN101566570A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
| 发明(设计)人: | 邱腾;郎咸忠 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
| 主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65;B82B3/00 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 叶连生 |
| 地址: | 211109江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有序 可控 表面 增强 散射 活性 基底 及其 制备 方法 | ||
1.一种有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射活性基底,其特征在于:在多孔氧化铝表面的有序可控的六角梅花状突起上溅射银,形成排列规则的银纳米岛的金属基底;在该金属基底中,所述的周期性六角梅花状银纳米岛结构呈半球形,直径为50±5nm,每个六角梅花状结构中心孔径为10nm到90nm间距可调,通过控制腐蚀铝片的电压和磁控溅射时间两个参数进行调控。
2.一种有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射活性基底的制备方法,其特征在于该方法如下:
a.制备不同尺度的多孔氧化铝模板:先对高纯铝预处理,再采用普通的上下反应装置,高纯铝片做阳极在下,钼片做阴极在上,反应液为草酸,进行电化学腐蚀,形成多孔氧化铝模板;
b.将银沉积到多孔氧化铝模板上形成有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射活性基底:用磁控溅射方法将高纯银溅射到多孔氧化铝模板上,形成有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射活性基底。
3.根据权利要求2所述的有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射活性基底的制备方法,其特征在于所述的可控指:可通过控制腐蚀铝片的电压和磁控溅射时间两个参数对基底进行调节。
4.根据权利要求2所述的有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射活性基底的制备方法,其特征在于所述的对高纯铝的预处理是将铝片先分别经过蒸馏水和丙酮的超生震荡洗涤,再将铝片做阳极放入高氯酸和乙醇的混合溶液中进行电化学抛光。
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