[发明专利]增加顶发射型有机发光二极管对比度的结构无效
| 申请号： | 200910026492.0 | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101540374A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 黄维;陈春燕;陈淑芬;谢军;解令海 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 210003江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增加 发射 有机 发光二极管 对比度 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种增加顶发射型有机发光二极管对比度的结构，其特征在于该结构包括：底层为不透明的基底(11)，在基底(11)上为一反射电极用作阳极(12)，在阳极(12)上为用于发光层的有机薄膜结构(13)，在有机薄膜结构(13)上为用作阴极(14)的半透明阴极结构，在阴极(14)的上表面为一光输出耦合层，用于减小二极管对于环境光的反射，形成一个多层膜结构。
2.根据权利要求1所述的增加顶发射型有机发光二极管对比度的结构，其特征在于所述的光输出耦合层的材质为有机或无机半导体材料。
3.根据权利要求1或2所述的增加顶发射型有机发光二极管对比度的结构，其特征在于所述的光输出耦合层的厚度可以改变，用以改变环境光进入器件时的反射和透射能量分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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