[发明专利]可编程半导体抗浪涌保护器件、制作工艺及版图

权利要求书

1、一种可编程半导体抗浪涌保护器件，用于保护用户线接口电路板的浪涌保护，其特征在于，包括：

K1端口，包括K1第一引脚和K1第二引脚；

K2端口，包括K2第一引脚和K2第二引脚；

G端口；

A端口，包括A第一引脚和A第二引脚；

第一二极管，包括正极和负极，该正极连接至K1第一引脚；

第一晶闸管，包括栅极、第一主电极和第二主电极，该第一晶闸管并连至所述第一二极管，该第一主电极连接至第一二极管的负极后连接至A第一引脚，该第二电极连接至第一二极管的正极，该第二电极连接K1第二引脚；

第二二极管；包括正极和负极，该正极连接至K2第一引脚；

第二晶闸管，包括栅极、第一主电极和第二主电极，该第二晶闸管并连至所述第二二极管，该第一主电极连接至第二二极管的负极后连接至A第二引脚，该第二电极连接至第二二极管的正极，该第二电极连接K2第二引脚，该第二晶闸管的栅极连接至第一晶闸管的栅极后连接至该栅极端口。

2、如权利要求1所述的可编程半导体抗浪涌保护器件，其特征在于，G端口接外加电压。

3、如权利要求2所述的可编程半导体抗浪涌保护器件，其特征在于，所述外加电压的范围为[-220V，-10V]。

4、如权利要求1所述的可编程半导体抗浪涌保护器件，其特征在于，K1第一引脚连接TIP线，K2第一引脚连接RING线，K1第二引脚和K2第二引脚分别连接SLIC板的输入端。

5、一种可编程半导体抗浪涌保护器件的制作工艺，其特征在于，包括：

三极管基区光刻，硼注入后，正面形成两个三极管基区；

可控硅磷调制区扩散窗口光刻，正面形成两个可控硅调控区；

正面硼扩，形成可控硅硼基区、三极管浓硼区、二极管硼扩散；

正面磷扩，正面可控硅阴极、三极管发射区磷扩散窗口光刻；

背面三极管、二极管N+区磷扩散窗口光刻；

背面硼扩反刻，背面形成两个可控硅阴极区，二极管硼隔离区；

正面光刻引线孔。

6、一种可编程半导体抗浪涌保护器件的版图设计，其特征在于，包括两个三极管、两个可控硅和两个二极管。每个三极管包括：背面的三极管N+区，正面的三极管基区、其每个三极管基区内还设置有P+区及N发射区，每个可控硅包括：背面的P+区，正面的P+区，并在P+区内设置有N区，每个二极管区包括：背面的N+区，正面的P+区。