[发明专利]复杂二芳基芴材料及其制备和应用方法无效

专利信息
申请号: 200910024461.1 申请日: 2009-02-23
公开(公告)号: CN101492442A 公开(公告)日: 2009-07-29
发明(设计)人: 黄维;解令海;殷成蓉;刘冉冉;陈淑芬;李崇 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: C07D333/08 分类号: C07D333/08;C07D311/18;C07D311/96;C07C211/54;C07D471/04;C07C209/68;H01L51/00;H01L45/00;H01L51/54;H01L51/46
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 叶连生
地址: 210003江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 复杂 二芳基芴 材料 及其 制备 应用 方法
【权利要求书】:

1.一种复杂二芳基芴材料,其特征在于该材料以非平面的芳基芴或氮杂芴作为封端基团杂多环芳烃共轭分子,具有为如下结构:

             化合物材料I

式中:R1、R2出现时相同或者不同,并为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或者烷氧基链;n,m分别为0,1,2,3,4中任意数字;X为碳或氮;Ar为含杂原子的多环芳烃共轭结构单元;

Ar具体为如下列结构中的一种:

式中:1为0,1,2,3,4中任意数字;Ar1、Ar2、Ar3、Ar4是为氢或者是如下列结构中的一种:

2.根据权利要求1所述的复杂二芳基芴材料,其特征在于所述的化合物材料I中Ar为含氧、硫或氮的芳环,具有如下结构:

3.根据权利要求1所述的复杂二芳基芴材料,其特征在于所述的化合物材料I具有如下结构:

4.一种如权利要求1所述的复杂二芳基芴材料的制备方法,其特征在于通过付一克反应制备,反应具体如下:

方法1:付一克反应作为最后的封端过程实现含苯基芴的非平面多环杂芳烃有机半导体,

方法2:付一克反应作为开始的封端过程实现含苯基芴的非平面多环杂芳烃有机半导体,

其付一克反应条件具体是杂芳烃和叔醇按6∶1~1∶3摩尔比例混合,在温度25-150摄氏度下,加入等摩尔比例的盐酸溶解于冰醋酸、甲烷磺酸溶解于四氯化碳、三氟甲烷磺酸溶解于四氯化碳、或三氟化硼乙醚络合物溶解于二氯甲烷催化剂,反应时间在30分钟~48小时之间。

5.一种如权利要求1所述的复杂二芳基芴材料的应用,其特征在于应用于信息存储的有机半导体器件,其中器件的结构为透明阳极/电双稳态层/阴极,其中复杂二多环杂芳基芴材料作为电双稳态层通过真空蒸镀、溶液旋涂或喷墨打印方式制备、阴极通过真空镀膜技术制备。

6.一种如权利要求1所述的复杂二芳基芴材料的应用,其特征在于应用于发光二极管器件或光伏电池器件,其中器件的结构为透明阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极,其中,发光层在光伏电池器件中省略,复杂二多环杂芳基芴材料作为空穴传输层、发光层或电子传输层中之一的活性材料。

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