[发明专利]表面致密多孔氮化硅陶瓷透波材料的制备方法无效
| 申请号： | 200910024145.4 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101691301A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 殷小玮;张立同;李向明;成来飞 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B38/00;C04B35/622;C04B41/85 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 黄毅新 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 致密 多孔 氮化 陶瓷 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种表面致密多孔氮化硅陶瓷透波材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(a)将55～80重量份的Si3N4粉、5～10重量份的Lu2O3粉与5～35重量份的酚醛树脂混合，然后按每100克混合料加入200～300毫升的无水乙醇和15～25颗直径8～12毫米的氧化铝球，球磨15～20小时，80～100℃烘干8～10小时，制备出Si3N4、Lu2O3和酚醛树脂的均匀混合粉料；将混合粉料破碎后，过40～60目筛，在80～100MPa压力下模压制成坯体；
(b)将坯体放入高温管式炉中在空气气氛中升温至750～850℃，保温5～8小时进行氧化除碳；
(c)将氧化除碳后的坯体放入高温烧结炉中，采用0.3～0.5MPa氮气保护，在1750～1850℃保温2～4小时进行无压烧结，制备出多孔Si3N4陶瓷；
(d)将多孔Si3N4陶瓷放入Si3N4化学气相沉积炉中沉积Si3N4，沉积温度为950～1050℃，沉积时间为40～80小时。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述Si3N4粉的平均直径是0.6～1.5微米。
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