[发明专利]连续式多晶硅提纯结晶炉的加热装置有效
申请号: | 200910023822.0 | 申请日: | 2009-09-04 |
公开(公告)号: | CN101691219A | 公开(公告)日: | 2010-04-07 |
发明(设计)人: | 陈跃峰;朱振明 | 申请(专利权)人: | 咸阳华光窑炉设备有限公司 |
主分类号: | C01B33/021 | 分类号: | C01B33/021;C01B33/037;C30B28/06;C30B29/06 |
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地址: | 712000 陕西省咸阳市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连续 多晶 提纯 结晶 加热 装置 | ||
一、技术领域
本发明涉及一种连续式多晶硅提纯结晶炉加热装置,属连续式多晶硅 提纯结晶炉加热装置结构的设计及制造技术领域。
二、背景技术
连续式多晶硅提纯结晶炉是一种多晶硅的连续提纯、定向凝固设备。 多晶硅连续提纯、定向凝固的核心是对热场的控制,合理的加热装置是生 产出高质量的产品的保证。
三、发明内容
本发明的目的是提供一种设计合理、易于控制的连续式多晶硅提纯结 晶炉的加热装置,在连续式炉内实现产品由下向上结晶,符合定向凝固多晶 硅结晶工艺过程。
本发明为连续式多晶硅提纯结晶炉的加热装置,它包括复合加热装 置、温度传感器、控温仪表。复合加热装置采用炉膛侧部布置、上部布置、 侧上部布置、侧下部布置加热元件组等复合组成方式,采用长度方向多工 位控制及高度方向上下温区不同功率复合控制,实现连续式定向凝固,在 结晶区的数个工位的每个工位上下设置两个单独的温区,分别控制,复合 加热装置采用上辅助加热元件组和炉膛侧部加热元件组构成,上辅助加热 元件组为数支加热元件组成的加热元件组,采用炉膛上部布置加热元件组 或炉膛侧上部布置加热元件组方式;炉膛侧部加热元件组同样为数支加热 元件组成的加热元件组,采用炉膛侧部布置加热元件组或炉膛侧下部布置 加热元件组方式,实现产品由下而上的定向凝固所需要的同一截面上下温 度梯度的要求,上部温区温度设定为1436℃~1420℃之间,下部温区温度 设定随结晶界面的向上移动及结晶时间的推移逐步降低,形成多工位、多 温区控制,结晶区工位分别用J1、J2……Jn来表示,J1为结晶开始工位, Jn为结晶完成工位,结晶区工位的上部温区温度分别用J1a、J2a……Jna 来表示,结晶区工位的下部温区温度分别用J1b、J2b……Jnb来表示,在 结晶区产品需要经过J1、J2……Jn数个工位,随着工位由J1工位到Jn 工位的逐步推移,上部温区温度J1a、J2a……Jna设定为1436℃~1420℃ 之间,下部温区温度J1b、J2b……Jnb的设定温度将逐步降低,由于工位 由J1、J2……Jn的推移为步进式运动,每步进一个工位的时间很短,产品 长期处在静止状态,静止状态占到每个步进周期的95%,步进式运动对产 品整个温度梯度的影响可以忽略,随着工位由J1、J2……Jn的不断步进式 运动,在产品下部同一高度界面的温度不断降低,形成产品温度由下向上 定向凝固所需的温度梯度,实现产品的连续定向凝固。所述的温度传感器 为热电偶,控温仪表为数显调压仪表。
本发明为连续式多晶硅提纯结晶炉的加热装置,在连续式炉中实现定 向凝固,有利于硅提纯合格率的提高,也有利于铸锭成本的降低,具有良 好的经济效益和社会效益。
四、附图说明
附图1为本发明的结构示意图。
附图2为本发明的长度方向加热元件布置图。
五、实现方式
下面结合附图对本发明做进一步说明。
本发明涉及一种连续式多晶硅提纯结晶炉的加热装置,它由复合加热 装置、温度传感器、控温仪表等组成。复合加热装置采用炉膛侧部布置、 上部布置、侧上部布置、侧下部布置加热元件组复合组成方式,沿炉体长 度方向炉体分为高温静置区、降温区、结晶区、冷却区,采用长度方向多 工位控制及高度方向上下温区不同功率复合控制,实现连续式定向凝固。
为了实现产品由下而上的定向凝固的效果,在结晶区的数个工位的每 个工位上下设置两个单独的温区,分别控制,采用上辅助加热元件组(1) 和炉膛侧部加热元件组(2)的复合加热装置,上辅助加热元件组(1)为 数支硅碳棒、硅钼棒、石墨等加热元件组成的加热元件组,采用炉膛上部 布置加热元件组或炉膛侧上部布置加热元件组方式。炉膛侧部加热元件组 (2)同样为数支硅碳棒、硅钼棒、石墨等加热元件组成的加热元件组,采 用炉膛侧部布置加热元件组或炉膛侧下部布置加热元件组方式。通过上辅 助加热元件组(1)和炉膛侧部加热元件组(2)的复合加热装置的设置和 分别控制,可实现产品由下而上的定向凝固所需要的同一截面上下温度梯 度的要求。上部温区用热电偶(3)温度传感器检测,随着结晶界面的向上 移动,温度基本设定为1436℃~1420℃之间,下部温区用热电偶(4)温 度传感器检测,温度设定随结晶界面的向上移动及结晶时间的推移逐步降 低,形成多工位、多温区控制。结晶区工位分别用J1、J2……Jn来表示, J1为结晶开始工位,Jn为结晶完成工位,结晶区工位的上部温区温度分别 用J1a、J2a……Jna来表示,结晶区工位的下部温区温度分别用J1b、 J2b……Jnb来表示,在结晶区产品需要经过J1、J2……Jn等数个工位, 随着工位由J1工位到Jn工位的逐步推移,顶部温区温度J1a、J2a……Jna 基本设定为1436℃~1420℃之间,下部温区温度J1b、J2b……Jnb的设定 温度将逐步降低,由于工位由J1、J2……Jn的推移为步进式运动,每步进 一个工位的时间很短,产品长期处在静止状态(占到每个步进周期的95%), 步进对产品整个温度梯度的影响可以忽略,随着工位由J1、J2……Jn的不 断步进式推移,在产品下部同一高度界面的温度不断降低,形成产品温度 由下向上定向凝固所需的温度梯度,实现产品的连续定向凝固。
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