[发明专利]一种锰稳定氧化锆薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200910023066.1 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101580391A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 卢亚锋;白利锋;冯建情;李成山;闫果 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C04B35/622 | 分类号： | C04B35/622;C04B35/48 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 | 代理人： | 李子安 |
| 地址： | 710016陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 稳定 氧化锆 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种锰稳定氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于制备过程为：
(1)按照Zr0.75Mn0.25O2中Zr∶Mn的摩尔比为3∶1称取金属氧化物ZrO2粉末和MnO2粉末，混合研磨后在1400℃温度下恒温处理12-24小时后取出；
(2)再仔细研磨，混合充分，在压片机上用硬质钢模具将混合粉末压制成圆片；
(3)将步骤(2)中的圆片放在刚玉坩埚里，在硅碳管发热体管式高温炉内烧结，在氩气气氛中于1400℃温度下烧结12-24小时，然后随炉冷却至室温，得到相应的稳定氧化锆样品；
(4)对步骤(3)中的稳定氧化锆样品表面进行打磨制备成靶材；
(5)将沉积室预抽真空，以清洗后的YSZ单晶基片作为衬底，在氩气气氛中、压力为5-10Pa的沉积气压和800-900℃衬底温度下，用能量为550mJ和频率为5-10Hz的脉冲激光剥蚀步骤(4)中所述靶材15-30分钟以获得薄膜，并在一个大气压氩气中将所述薄膜冷却至室温，即制得锰稳定氧化锆薄膜，其中，所述YSZ是指钇稳定的氧化锆。
2.按照权利要求1所述的一种锰稳定氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述压片机的压力为10Mpa。
3.按照权利要求1所述的一种锰稳定氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述沉积室的真空度为2×10-4Pa。
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